[發明專利]集成電路（IC）芯片裝置

在審

• 申請號: 201911016899.5
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN111106077A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: C·德耶拉希-切克;B·奧爾;M·拉杜納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李興斌

1.一種集成電路(IC)封裝，包括：

第一半導體芯片，包括第一金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)；以及

第二半導體芯片，安裝在所述IC封裝的殼體內，

其中所述第二半導體芯片包括：

第二MOSFET；以及

控制電路，配置有用于所述第一MOSFET的第一驅動器和用于所述第二MOSFET的第二驅動器，

其中所述第一半導體芯片與所述IC封裝的基部相對地安裝到所述第二半導體芯片。

2.根據權利要求1所述的IC封裝，其中所述第二半導體芯片包括導電層，并且所述第一半導體芯片被安裝到所述導電層。

3.根據權利要求2所述的IC封裝，其中所述導電層對應于由所述第一MOSFET和所述第二MOSFET形成的半橋電路的輸出。

4.根據權利要求2所述的IC封裝，其中通過將所述第一半導體芯片焊接、燒結或膠合到所述導電層中的至少一項，將所述第一半導體芯片安裝到所述導電層。

5.根據權利要求1所述的IC封裝，其中所述第一MOSFET對應于半橋電路的低側MOSFET，并且所述第二MOSFET對應于所述半橋電路的高側MOSFET。

6.根據權利要求1所述的IC封裝，其中所述第一MOSFET是n型MOSFET(NMOS)，并且所述第二MOSFET是NMOS。

7.根據權利要求1所述的IC封裝，其中所述第一MOSFET是n型MOSFET(NMOS)，并且所述第二MOSFET是p型MOSFET(PMOS)。

8.根據權利要求1所述的IC封裝，其中所述第一半導體芯片僅包括所述第一MOSFET以及到所述第一MOSFET的連接。

9.根據權利要求1所述的IC封裝，其中所述第二半導體芯片包括第三MOSFET，并且所述控制電路包括用于所述第三MOSFET的第三驅動器。

10.根據權利要求1所述的IC封裝，其中所述IC封裝的所述基部對應于所述IC封裝的引線框側，

其中所述IC封裝的引線框連接到所述IC封裝的一個或多個端子。

11.一種系統，包括：

第一金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)；

第二MOSFET，

其中所述第一MOSFET的源極連接到所述第二MOSFET的漏極；以及

控制電路，用以控制到所述第一MOSFET或所述第二MOSFET的信號，

其中所述第一MOSFET在第一半導體芯片上，并且所述第二MOSFET和所述控制電路在與所述第一半導體芯片分離的第二半導體芯片上，

其中所述第一半導體芯片在IC封裝的殼體內被安裝在所述第二半導體芯片上。

12.根據權利要求11所述的系統，其中所述第一半導體芯片包括導電層，并且所述第二半導體芯片被安裝到所述導電層。

13.根據權利要求12所述的系統，其中所述第一MOSFET的所述漏極和所述第二MOSFET的所述源極連接到所述導電層。

14.根據權利要求12所述的系統，其中所述導電層對應于由所述第一MOSFET和所述第二MOSFET形成的半橋電路的輸出。

15.根據權利要求12所述的系統，其中通過將所述第一半導體芯片焊接、燒結或膠合到所述導電層中的至少一項，將所述第一半導體芯片安裝到所述導電層。