[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911015384.3
• 申請(qǐng)日: 2019-10-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111146217A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐載寬;李國(guó)基;金度勛;金昶來(lái);李重訓(xùn);趙殷相
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

一種圖像傳感器包括：襯底，所述襯底包括像素區(qū)域和焊盤區(qū)域；第一導(dǎo)電焊盤，所述第一導(dǎo)電焊盤在所述焊盤區(qū)域中位于所述襯底上；微透鏡層，所述微透鏡層在所述像素區(qū)域中位于所述襯底上；以及第一保護(hù)圖案，所述第一保護(hù)圖案覆蓋所述焊盤區(qū)域并暴露所述第一導(dǎo)電焊盤。所述第一保護(hù)圖案和所述微透鏡層包括相同的材料。所述第一保護(hù)圖案與所述微透鏡層彼此分開(kāi)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本專利申請(qǐng)要求于2018年11月5日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2018-0134233的優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及圖像傳感器及其制造方法。

背景技術(shù)

圖像傳感器是用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器可以分類為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器中的任何一種。CIS是CMOS圖像傳感器的縮寫。CIS可以包括二維布置的多個(gè)像素。每個(gè)像素可以包括光電二極管(PD)。光電二極管可以將入射光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例可以提供能夠最小化或防止圖像缺陷的圖像傳感器。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例還可以提供能夠簡(jiǎn)化工藝的制造圖像傳感器的方法。

在一方面，圖像傳感器可以包括：襯底，所述襯底包括像素區(qū)域和焊盤區(qū)域，并且包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；第一導(dǎo)電焊盤，所述第一導(dǎo)電焊盤在所述焊盤區(qū)域中位于所述襯底的所述第二表面上；微透鏡層，所述微透鏡層在所述像素區(qū)域中位于所述襯底的所述第二表面上；以及第一保護(hù)圖案，所述第一保護(hù)圖案覆蓋所述焊盤區(qū)域并暴露所述第一導(dǎo)電焊盤。所述第一保護(hù)圖案和所述微透鏡層可以包括相同的材料，所述第一保護(hù)圖案可以與所述微透鏡層彼此分開(kāi)。

在一方面，圖像傳感器可以包括：襯底，所述襯底包括像素區(qū)域、光學(xué)黑區(qū)域和焊盤區(qū)域；第一導(dǎo)電焊盤，所述第一導(dǎo)電焊盤在所述焊盤區(qū)域中位于所述襯底上；微透鏡層，所述微透鏡層在所述像素區(qū)域中位于所述襯底上；第一保護(hù)圖案，所述第一保護(hù)圖案覆蓋所述焊盤區(qū)域并暴露所述第一導(dǎo)電焊盤；以及第二保護(hù)圖案，所述第二保護(hù)圖案在所述光學(xué)黑區(qū)域中位于所述襯底上。所述第一保護(hù)圖案和所述第二保護(hù)圖案可以是透明的。

在一方面，圖像傳感器可以包括：襯底，所述襯底包括像素區(qū)域和焊盤區(qū)域；第一導(dǎo)電焊盤，所述第一導(dǎo)電焊盤在所述焊盤區(qū)域中位于所述襯底上；微透鏡層，所述微透鏡層在所述像素區(qū)域中位于所述襯底上；以及第一保護(hù)圖案，所述第一保護(hù)圖案覆蓋所述焊盤區(qū)域并暴露所述第一導(dǎo)電焊盤。所述第一保護(hù)圖案可以與所述微透鏡層彼此分開(kāi)，并且所述第一保護(hù)圖案可以是透明的。

在一方面，一種制造圖像傳感器的方法，所述方法可以包括：制備包括焊盤區(qū)域和像素區(qū)域的襯底；在所述焊盤區(qū)域中在所述襯底上形成第一導(dǎo)電焊盤；形成覆蓋所述焊盤區(qū)域和所述像素區(qū)域的初步透鏡層；在所述像素區(qū)域中蝕刻所述初步透鏡層的上部以形成多個(gè)透鏡部分；以及蝕刻所述焊盤區(qū)域與所述像素區(qū)域之間的所述初步透鏡層，以形成覆蓋所述焊盤區(qū)域的第一保護(hù)圖案和覆蓋所述像素區(qū)域的微透鏡層。

附圖說(shuō)明

根據(jù)附圖和隨附的詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思將變得更加明顯。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的圖像傳感器的截面圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的圖1中的部分“P1”的放大圖。

圖3至圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的圖1中的部分“P2”的放大圖。

圖6至圖12是示出了制造圖1中的圖像傳感器的方法的截面圖。

圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的圖像傳感器的截面圖。