[發(fā)明專利]用于轉(zhuǎn)移微型元件的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911014240.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111834248A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳立宜;簡(jiǎn)芳基 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美科米尚技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張琳 |
| 地址: | 薩摩亞阿庇亞*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 轉(zhuǎn)移 微型 元件 方法 | ||
1.一種轉(zhuǎn)移微型元件的方法,其特征在于,包括:
準(zhǔn)備載體基板,所述載體基板上具有所述微型元件,其中黏著層位于所述載體基板和所述微型元件之間并接觸所述載體基板和所述微型元件;
借由轉(zhuǎn)移頭從所述載體基板上拾取所述微型元件;
在接收基板上形成液體層;
借由所述轉(zhuǎn)移頭將所述微型元件放置在所述接收基板上,使得所述微型元件與所述液體層接觸并被毛細(xì)力夾持;以及
將所述轉(zhuǎn)移頭移離所述接收基板,使得所述微型元件與所述轉(zhuǎn)移頭分離并黏附固定到所述接收基板。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述微型元件借由第一黏著力黏著到所述黏著層,所述微型元件借由第二黏著力黏附到所述轉(zhuǎn)移頭,并且所述毛細(xì)力大于所述第一黏著力和所述第二黏著力,使得在執(zhí)行所述放置時(shí)所述微型元件與所述轉(zhuǎn)移頭分離并且黏附固定到所述接收基板。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一黏著力和所述第二黏著力包括凡得瓦力。
4.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二黏著力大于所述第一黏著力。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述微型元件的側(cè)向長(zhǎng)度小于或等于50微米。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述拾取之前,光阻層位于所述微型元件上,并且當(dāng)執(zhí)行所述拾取時(shí),所述微型元件經(jīng)由所述光阻層黏附到所述轉(zhuǎn)移頭。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述微型元件借由第一黏著力黏著到所述黏著層,所述微型元件借由第三黏著力經(jīng)由所述光阻層黏附到所述轉(zhuǎn)移頭,并且所述毛細(xì)力大于所述第一黏著力和所述第三黏著力,使得在執(zhí)行所述放置時(shí)所述微型元件與所述轉(zhuǎn)移頭分離并且黏附固定到所述接收基板。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,還包含:
在所述微型元件與所述轉(zhuǎn)移頭分離之前蒸發(fā)所述液體層,使得所述微型元件貼附到所述接收基板的導(dǎo)電墊并且與所述導(dǎo)電墊電性接觸,其中將所述微型元件黏附到所述導(dǎo)電墊的力是在所述蒸發(fā)之后所產(chǎn)生的黏附固定力。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述微型元件包含在其上的電極,并且所述微型元件經(jīng)由所述電極與所述導(dǎo)電墊貼附并與所述導(dǎo)電墊電性接觸。
10.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述微型元件借由第一黏著力黏著到所述黏著層,所述微型元件借由第二黏著力黏附到所述轉(zhuǎn)移頭,并且所述黏附固定力大于所述第一黏著力和所述第二黏著力,使得在執(zhí)行所述放置時(shí)所述微型元件與所述轉(zhuǎn)移頭分離并且黏附固定到所述接收基板。
11.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,其中所述導(dǎo)電墊的面積小于或等于1平方毫米。
12.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包含:
在將所述轉(zhuǎn)移頭移離所述接收基板之前降低所述接收基板的溫度,使得所述液體層被冷凍。
13.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包含:
在所述轉(zhuǎn)移頭移離所述接收基板之前加熱所述轉(zhuǎn)移頭、所述微型元件、所述液體層和所述接收基板的組合,以借由所述微型元件和所述接收基板之間的黏合力在所述微型元件和所述接收基板之間形成黏合。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
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