[發明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201911013645.8
• 申請日: 2019-10-23
• 公開（公告）號: CN110690232A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃溪;劉芳

本發明提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板。陣列基板的制造方法包括：在襯底基板上形成第一柵極和遮光圖形；在第一柵極和遮光圖形上沉積至少一層緩沖層，并在緩沖層上形成位于第一柵極上方的金屬氧化物半導體圖形和位于遮光圖形上方的低溫多晶硅半導體圖形；在金屬氧化物半導體圖形和低溫多晶硅半導體圖形上依次沉積柵極絕緣層和柵極金屬層，并進行光刻工藝，以在低溫多晶硅半導體圖形的上方形成第二柵極；在第二柵極上沉積金屬氧化物保護層，在金屬氧化物保護層上形成與金屬氧化物半導體圖形連接的第一源極和第一漏極，并在金屬氧化物保護層上形成與低溫多晶硅半導體圖形連接的第二源極和第二漏極。本發明能夠降低顯示面板的功耗。

技術領域

本發明涉及平面顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板。

背景技術

平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。現有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有機發光二極管顯示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。

目前，平板顯示器件向大尺寸、高集成度、高分辨率、高驅動頻率方向發展，對遷移率的要求越來越高，目前使用的多晶硅TFT不能進行大尺寸平板顯示，因而基于LTPS(LowTemperature Poly-silicon，低溫多晶硅)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的面板技術成為主流。在經歷過去數年的改良，LTPS顯示面板擁有高分辨率、高反應速度、高亮度、高開口率等優勢，使其成為了當今市面上最成熟和主流的TFT面板技術方案。

然而，低溫多晶硅TFT雖然遷移率高，但是TFT的關態電流大，用其驅動顯示面板時，存在功耗較高的問題。

發明內容

本發明提供一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板，能夠降低顯示面板的功耗。

第一方面，本發明提供一種陣列基板的制造方法，包括：在襯底基板上間隔形成第一柵極和遮光圖形，其中，第一柵極位于與陣列基板的顯示區域對應的區域內；在第一柵極和遮光圖形上沉積至少一層緩沖層，并在緩沖層上形成位于第一柵極上方的金屬氧化物半導體圖形、和位于遮光圖形上方的低溫多晶硅半導體圖形；在金屬氧化物半導體圖形和低溫多晶硅半導體圖形上依次沉積柵極絕緣層和柵極金屬層，并進行光刻工藝，以在低溫多晶硅半導體圖形的上方形成第二柵極；在第二柵極上沉積金屬氧化物保護層，在金屬氧化物保護層上形成與金屬氧化物半導體圖形連接的第一源極和第一漏極，并在金屬氧化物保護層上形成與低溫多晶硅半導體圖形連接的第二源極和第二漏極。

第二方面，本發明提供一種陣列基板，采用上述的陣列基板的制造方法制造而成。

第三方面，本發明提供一種顯示面板，包括上述的陣列基板。

本發明實施例提供的陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板，由于金屬氧化物TFT形成在與顯示區域對應的區域內，用于驅動像素電極，而金屬氧化物TFT遷移率高，有非常好的關態電流，用其驅動像素電極可以降低顯示面板的功耗，與低溫多晶硅TFT配合使用，既可以滿足顯示面板高遷移率的要求也可以減小功耗，可以更好地滿足大尺寸液晶顯示器和有機發光二極管顯示器件的需求。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明或現有技術的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例一提供的陣列基板的制造方法的流程示意圖；

圖2為本發明實施例一提供的陣列基板的制作方法中陣列基板處于第一狀態時的結構示意圖；