[發明專利]陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請號: 201911013645.8
• 申請日: 2019-10-23
• 公開（公告）號: CN110690232A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃溪;劉芳

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上間隔形成第一柵極和遮光圖形，其中，所述第一柵極位于與陣列基板的顯示區域對應的區域內；

在所述第一柵極和所述遮光圖形上沉積至少一層緩沖層，并在所述緩沖層上形成位于所述第一柵極上方的金屬氧化物半導體圖形、和位于所述遮光圖形上方的低溫多晶硅半導體圖形；

在所述金屬氧化物半導體圖形和低溫多晶硅半導體圖形上依次沉積柵極絕緣層和柵極金屬層，并進行光刻工藝，以在所述低溫多晶硅半導體圖形的上方形成第二柵極；

在所述第二柵極上沉積金屬氧化物保護層，在金屬氧化物保護層上形成與所述金屬氧化物半導體圖形連接的第一源極和第一漏極，并在金屬氧化物保護層上形成與所述低溫多晶硅半導體圖形連接的第二源極和第二漏極。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上形成位于所述第一柵極上方的金屬氧化物半導體圖形、和位于所述遮光圖形上方的低溫多晶硅半導體圖形，具體包括：

在形成有金屬氧化物半導體圖形的緩沖層上沉積非晶硅膜；

利用退火工藝將所述非晶硅膜形成為多晶硅膜，并通過光刻工藝形成所述低溫多晶硅半導體圖形。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上形成位于所述第一柵極上方的金屬氧化物半導體圖形、和位于所述遮光圖形上方的低溫多晶硅半導體圖形，具體包括：

在形成有金屬氧化物半導體圖形的緩沖層上沉積氧化硅膜，并在所述氧化硅膜上沉積非晶硅膜；

利用退火工藝將所述非晶硅膜形成為多晶硅膜，并通過光刻工藝形成所述低溫多晶硅半導體圖形。

4.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，

所述至少一個緩沖層中，最靠近所述金屬氧化物圖形的第一緩沖層為氧化硅層。

5.根據權利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，

在形成所述第一緩沖層后，對所述第一緩沖進行退火工藝。

6.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述金屬氧化物保護層上形成第一漏極、第一源極、第二漏極、第二源極之后還包括：

在所述第一漏極、第一源極、第二漏極、第二源極上沉積鈍化層，并通過光刻工藝在所述鈍化層上位于所述第一漏極上方的區域形成導電過孔；

在形成有導電過孔的鈍化層上沉積透明導電層，并通過光刻工藝形成像素電極，并使所述像素電極經由所述導電過孔和所述第一漏極電連接。

7.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，

所述遮光圖形位于與陣列基板的非顯示區域對應的區域內。

8.一種陣列基板，其特征在于，采用如權利要求1-7任一項所述的制造方法制造而成。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求8所述的陣列基板。

10.根據權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板為液晶顯示面板或者為有機發光二極管顯示面板。