[發(fā)明專利]顯示設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911010943.1
• 申請日: 2019-10-23
• 公開（公告）號: CN111129079A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設計）人: 徐右吏;裵寅浚
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

公開了一種顯示設備。該顯示設備包括：基底；第一像素，位于基底上；第一數(shù)據(jù)線，向第一像素施加第一數(shù)據(jù)信號；第二像素，位于基底上并且與第一像素相鄰；第二數(shù)據(jù)線，向第二像素施加第二數(shù)據(jù)信號；以及屏蔽層，處于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間。第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線彼此平行并設置在不同的高度處，并且屏蔽層包括金屬層。

本申請要求于2018年10月31日提交的第10-2018-0132556號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)以及由此產(chǎn)生的所有權(quán)益，該韓國專利申請的內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術領域

一個或更多個示例性實施例涉及一種顯示設備。

背景技術

隨著在視覺上表示各種電信號信息的顯示領域已得到快速發(fā)展，已經(jīng)引入了具有諸如纖薄性、輕重量和低耗電的優(yōu)異特性的各種平板顯示設備，并且其分辨率也正在增大。

顯示設備的分辨率的增大意味著每單位面積的顯示設備中的像素數(shù)量的增多。因此，隨著顯示設備的分辨率正在增大，顯示設備中用于向像素施加電信號的布線的數(shù)量也正在增多。結(jié)果，布線之間的距離減小，從而發(fā)生布線之間的信號干擾，并且會降低顯示設備的圖像的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

一個或更多個示例性實施例包括可以防止發(fā)生布線之間的信號干擾的顯示設備。

附加的方面將在下面的描述中部分地闡述，并且部分地將通過描述而是明顯的，或者可以通過所提出的示例性實施例的實踐而明了。

根據(jù)一個或更多個示例性實施例，顯示設備包括：基底；第一像素，位于基底上；第一數(shù)據(jù)線，向第一像素施加第一數(shù)據(jù)信號；第二像素，位于基底上，并且與第一像素相鄰；第二數(shù)據(jù)線，向第二像素施加第二數(shù)據(jù)信號；以及屏蔽層，處于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間。第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線彼此平行且位于不同的高度處，并且屏蔽層包括金屬層。

屏蔽層還可以包括處于金屬層上的金屬氧化物層。

金屬氧化物層中的金屬氧化物可以是金屬層中的金屬的氧化物。

金屬氧化物層中包括的氧的濃度可以從金屬氧化物層的下部到上部逐漸增大。

顯示設備還可以包括處于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間并且分別設置在屏蔽層的下部和上部處的第一絕緣層和第二絕緣層。

第一像素和第二像素中的每個可以包括有機發(fā)光二極管(“OLED”)(包括像素電極)以及用于驅(qū)動OLED的電路單元，并且電路單元可以包括具有電連接到像素電極的漏電極的薄膜晶體管(“TFT”)，第一數(shù)據(jù)線可以與漏電極處于同一層上，并且有機絕緣層可以位于第二數(shù)據(jù)線與像素電極之間。

像素電極可以經(jīng)由處于有機絕緣層、第二絕緣層、屏蔽層和第一絕緣層中的接觸孔電連接到漏電極，并且第二絕緣層可以在接觸孔的內(nèi)側(cè)表面處覆蓋屏蔽層的側(cè)表面和第一絕緣層的側(cè)表面。

屏蔽層可以公共地形成為一體，以與第一像素和第二像素對應。

屏蔽層可以處于浮置狀態(tài)。

位于屏蔽層上的第二數(shù)據(jù)線的寬度可以比位于屏蔽層下的第一數(shù)據(jù)線的寬度大。

根據(jù)一個或更多個示例性實施例，顯示設備包括：像素單元，包括多個像素以及向多個像素施加數(shù)據(jù)信號并且布置為彼此平行的多條數(shù)據(jù)線；數(shù)據(jù)驅(qū)動單元，產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號，并且連接到所述多條數(shù)據(jù)線；以及屏蔽層，阻擋所述多條數(shù)據(jù)線之中的兩條相鄰的數(shù)據(jù)線之間的信號干擾，位于這兩條相鄰的數(shù)據(jù)線之間，并且被共同地設置為一體以與所述多個像素對應。這兩條相鄰的數(shù)據(jù)線處于不同的高度。

屏蔽層可以包括金屬層和位于金屬層上的金屬氧化物層。

金屬氧化物層中的金屬氧化物可以是金屬層中的金屬的氧化物

金屬氧化物層中的氧的濃度可以從金屬氧化物層的下部到上部逐漸增大。