[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 201911010943.1 | 申請日: | 2019-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN111129079A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 徐右吏;裵寅浚 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備,所述顯示設備包括:
基底;
第一像素,位于所述基底上;
第一數據線,向所述第一像素施加第一數據信號;
第二像素,位于所述基底上,并且與所述第一像素相鄰;
第二數據線,向所述第二像素施加第二數據信號;以及
屏蔽層,處于所述第一數據線與所述第二數據線之間,所述屏蔽層包括金屬層,
其中,所述第一數據線和所述第二數據線彼此平行并且設置在不同的高度處。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述屏蔽層還包括處于所述金屬層上的金屬氧化物層。
3.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述金屬氧化物層中的金屬氧化物是所述金屬層中的金屬的氧化物。
4.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述金屬氧化物層中的氧的濃度從所述金屬氧化物層的下部到上部逐漸增大。
5.根據權利要求1所述的顯示設備,所述顯示設備還包括處于所述第一數據線與所述第二數據線之間并且分別設置在所述屏蔽層的下部和上部處的第一絕緣層和第二絕緣層。
6.根據權利要求5所述的顯示設備,其中,所述第一像素和所述第二像素中的每個包括有機發光二極管以及用于驅動所述有機發光二極管的電路單元,所述有機發光二極管包括像素電極,并且
所述電路單元包括具有電連接到所述像素電極的漏電極的薄膜晶體管,
所述第一數據線與所述漏電極處于同一層上,并且
有機絕緣層位于所述第二數據線與所述像素電極之間。
7.根據權利要求6所述的顯示設備,其中,所述像素電極經由處于所述有機絕緣層、所述第二絕緣層、所述屏蔽層和所述第一絕緣層中的接觸孔電連接到所述漏電極,并且所述第二絕緣層在所述接觸孔的內側表面處覆蓋所述屏蔽層的側表面和所述第一絕緣層的側表面。
8.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述屏蔽層被公共地設置為一體,以與所述第一像素和所述第二像素對應。
9.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述屏蔽層處于浮置狀態。
10.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,位于所述屏蔽層上的所述第二數據線的寬度比位于所述屏蔽層下的所述第一數據線的寬度大。
11.一種顯示設備,所述顯示設備包括:
像素單元,包括多個像素以及向所述多個像素施加數據信號并且被布置為彼此平行的多條數據線;
數據驅動單元,產生所述數據信號,并且連接到所述多條數據線;以及
屏蔽層,阻擋所述多條數據線之中的兩條相鄰的數據線之間的信號干擾,位于所述兩條相鄰的數據線之間,并且被公共地設置為一體以與所述多個像素對應,
其中,所述兩條相鄰的數據線處于不同的高度。
12.根據權利要求11所述的顯示設備,其中,所述屏蔽層包括金屬層和位于所述金屬層上的金屬氧化物層。
13.根據權利要求12所述的顯示設備,其中,所述金屬氧化物層中的金屬氧化物是所述金屬層中的金屬的氧化物。
14.根據權利要求12所述的顯示設備,其中,所述金屬氧化物層中的氧的濃度從所述金屬氧化物層的下部到上部逐漸增大。
15.根據權利要求11所述的顯示設備,其中,所述屏蔽層處于浮置狀態。
16.根據權利要求11所述的顯示設備,其中,所述多條數據線之中的位于所述屏蔽層的下部處的第一數據線和所述多條數據線之中的位于所述屏蔽層的上部處的第二數據線沿第一方向交替布置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





