[發明專利]自適應的Nand Flash讀寫速度調整方法

有效

• 申請號: 201911005407.2
• 申請日: 2019-10-22
• 公開（公告）號: CN110765042B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 劉慧婕;仇旭東;趙斌;李巖
• 申請（專利權）人: 天津津航計算技術研究所
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F11/10;G06F11/30
• 代理公司: 中國兵器工業集團公司專利中心 11011
• 代理人: 周恒

本發明屬于存儲器技術領域，具體涉及一種自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法。與現有技術相比較，本發明相較于通常采用的單一設定速率的Nand?flash讀寫方法，這種方法可以根據外界環境調節讀寫速率，最大限度的保證讀寫速度與正確性，且更加適應溫度變化大的惡略環境的應用。由此，本發明提出一種隨溫度變化進行動態調節Nand?flash的讀寫速度的方法，即可以保證數據的正確性，也可以一定程度上保證讀寫效率。

技術領域

本發明屬于存儲器技術領域，具體涉及一種自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法。

背景技術

Nand-flash存儲器是Flash存儲器的一種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而在民用及軍用領域都得到了越來越廣泛的應用。

在某些工程試驗項目中，除了試驗環境惡劣之外，試驗成本也極高，因此為節約試驗成本，對測試設備的可靠性要求嚴苛，尤其對于試驗數據的完整性和正確性有極高要求。Nand-flash以其高速度、高存儲密度、抗震等優點成為此類應用的最佳選擇。但是，由于結構特點與制造工藝限制，Nand-flash使用中存在誤碼，出錯時一般不會造成整個塊或者頁的數據無效，而是在一頁中發生單比特或多比特誤碼。另外，Nand-flash的讀寫性能會受到環境因素的影響，隨著溫度的增高或者降低，Nand-flash操作后響應速度會變慢，若依然按照較高的速度進行讀寫，可能會出現大規模的數據錯誤。單比特或幾個比特的數據可以通過相應的糾錯算法進行修正，但大規模的錯誤，無法得到合理的處理。所以，在高溫或者低溫的條件下，為保證其讀寫的正確性，必須降低其相應的讀寫速度。即在相對惡劣的環境中，溫度變化相對較大，需根據外界溫度來調整相應的讀寫速度，來保證數據的正確性。

目前階段，為保持在低溫與高溫情況下數據讀寫的正確性，在設置Nand-flash的讀寫速度時，一般選取在高低溫環境下也不會出錯的較低的讀寫速度，來保證讀寫的正確性。但是，此時采用的速度只是理想實驗條件下的速度，實驗條件與實際應用中的環境條件還存在一定的差異，該速度條件下進行實際的讀寫仍有可能出現錯誤，另外，環境溫度總在變化，在常溫下可以采用較快的速度進行讀寫，從而保證一定的讀寫效率。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：如何提供一種自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法。

(二)技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供一種自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，所述讀寫速度調整方法基于讀寫速度調整系統來實施，所述讀寫速度調整系統包括：核心控制模塊、讀寫控制模塊以及速度調節模塊；所述讀寫速度調整方法包括如下步驟：

步驟1：讀寫控制模塊控制按照常規速度對Nand-flash進行讀寫，若核心控制模塊檢測到出現錯誤，通過核心控制模塊的溫度感應裝置獲取當前溫度；

步驟2：若溫度無變化，則使用錯誤糾錯算法，進行單比特或幾個比特的數據糾錯；

步驟3：若溫度確實產生變化，則由速度調節模塊調整相應讀寫速度，避免出現大規模數據錯誤；

步驟4：若調整速度后核心控制模塊仍檢測到出現大規模的錯誤，則由速度調節模塊繼續降低讀寫速度；

步驟5：讀/寫完一塊數據后，由核心控制模塊再次獲取當前溫度，看是否恢復常溫，若恢復，由速度調節模塊調整速度為常規速度，若依然在高溫或者低溫環境下，則保持當前讀寫速度不變。

其中，所述核心控制模塊用于完成溫度變化的感應以及錯誤的檢測和糾錯。

其中，所述讀寫控制模塊用于完成正常的讀寫控制。