[發明專利]自適應的Nand Flash讀寫速度調整方法

有效

• 申請號: 201911005407.2
• 申請日: 2019-10-22
• 公開（公告）號: CN110765042B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 劉慧婕;仇旭東;趙斌;李巖
• 申請（專利權）人: 天津津航計算技術研究所
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F11/10;G06F11/30
• 代理公司: 中國兵器工業集團公司專利中心 11011
• 代理人: 周恒

1.一種自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述讀寫速度調整方法基于讀寫速度調整系統來實施，所述讀寫速度調整系統包括：核心控制模塊、讀寫控制模塊以及速度調節模塊；所述讀寫速度調整方法包括如下步驟：

步驟1：讀寫控制模塊控制按照常規速度對Nand-flash進行讀寫，若核心控制模塊檢測到出現錯誤，通過核心控制模塊的溫度感應裝置獲取當前溫度；

步驟2：若溫度無變化，則使用錯誤糾錯算法，進行單比特或幾個比特的數據糾錯；

步驟3：若溫度確實產生變化，則由速度調節模塊調整相應讀寫速度，避免出現大規模數據錯誤；

步驟4：若調整速度后核心控制模塊仍檢測到出現大規模的錯誤，則由速度調節模塊繼續降低讀寫速度；

步驟5：讀/寫完一塊數據后，由核心控制模塊再次獲取當前溫度，看是否恢復常溫，若恢復，由速度調節模塊調整速度為常規速度，若依然在高溫或者低溫環境下，則保持當前讀寫速度不變。

2.如權利要求1所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述核心控制模塊用于完成溫度變化的感應以及錯誤的檢測和糾錯。

3.如權利要求2所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述讀寫控制模塊用于完成正常的讀寫控制。

4.如權利要求3所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述速度調節模塊用于完成讀寫速度隨溫度變化的調節功能。

5.如權利要求4所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，多個模塊相互配合，將對Nand-flash讀寫的速度根據外界溫度的變化進行調整，保證正確且高效的讀寫。

6.如權利要求1所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述步驟1中，讀/寫完一頁后，進行由核心控制模塊對相應數據的檢錯。

7.如權利要求1所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述步驟3中，速度調節模塊的調節規則按照溫度每升高或降低十度，則對應降低速度0.5M/S。

8.如權利要求1所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述步驟4中，速度調節完成后，讀寫控制模塊開始按照調節的速度進行讀寫，完成一頁的讀寫后，由核心控制模塊再次檢測是否仍出現大規模的錯誤，若出現大規模錯誤，繼續由錯誤調節模塊降低速度。

9.如權利要求8所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述繼續由錯誤調節模塊降低速度，是以0.5M/S的間隔降低。

10.如權利要求1所述的自適應的Nand?Flash讀寫速度調整方法，其特征在于，所述步驟5中，若溫度依然在高溫或者低溫，則繼續按調整后的當前速度進行讀寫，并在每次讀/寫完一塊數據后由核心控制模塊進行溫度的重新檢測。