[發明專利]具有不同寬度單元層的圖像傳感器裝置及相關方法在審
| 申請號: | 201911002706.0 | 申請日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN110634904A | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發明(設計)人: | D·A·德拉克魯茲;D·加尼 | 申請(專利權)人: | 意法半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G03B3/10;G03B17/02;G03B29/00 |
| 代理公司: | 11256 北京市金杜律師事務所 | 代理人: | 郭星 |
| 地址: | 新加*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器裝置 導電觸點 導電跡線 互連層 導電粘合劑 聚焦單元 鏡筒 液晶 圖像傳感器 寬度單元 相鄰單元 單元層 耦接 承載 | ||
本公開涉及具有不同寬度單元層的圖像傳感器裝置及相關方法。一種圖像傳感器裝置可以包括互連層、該互連層上的圖像傳感器IC以及與該互連層相鄰并且具有多條第一導電跡線的鏡筒。該圖像傳感器裝置可以包括液晶聚焦單元,該液晶聚焦單元由該鏡筒承載并且具有多個單元層以及多個第二導電觸點。一對相鄰單元層可以具有不同的寬度。該圖像傳感器裝置可以包括導電粘合劑本體,該導電粘合劑本體將這些第二導電觸點中的至少一個導電觸點耦接至這些第一導電跡線中的相應的導電跡線上。
本申請是中國國家申請號為201510634129.2、申請日為2015年9月29日、發明名稱為“具有不同寬度單元層的圖像傳感器裝置及相關方法”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本披露涉及電子裝置領域,并且更具體地涉及圖像傳感器及相關方法。
背景技術
通常,電子裝置包括用于提供增強的媒體功能的一個或多個照相機模塊。例如,典型的電子裝置可以利用這些照相機模塊進行照片拍攝和視頻電話會議。在具有多個照相機模塊的典型電子裝置中,主照相機模塊具有高像素密度和可調焦距透鏡系統,而副照相機模塊是前置的并且具有較低的像素密度。同樣,副照相機模塊可以具有固定焦距透鏡系統。
例如,授予布羅迪(Brodie)等人、被轉讓給本申請的受讓人的美國專利申請號2009/0057544披露了一種用于移動裝置的照相機模塊。該照相機模塊包括透鏡、承載透鏡的殼體以及在透鏡和殼體之上的透鏡蓋。該照相機模塊包括用于調節透鏡的鏡筒(barrel)機構。在包括一個或多個照相機模塊的電子裝置的制造期間,尤其是在大批量生產運行中,期望盡可能快地制造電子裝置。同樣,在給定典型的移動裝置應用的情況下,期望減小照相機模塊的尺寸。
減小光學裝置的尺寸的一種方案包括使用作為可變焦距透鏡運行的液晶單元。在液晶單元中,施加一個小的控制電壓以動態地改變光所穿過的材料的折射率,而不像對透鏡進行聚焦的傳統機械方案那樣物理地移動透鏡元件。這種液晶單元可從加利福尼亞州桑尼維爾市的LensVector公司獲得。
在光學裝置內(例如,在透鏡殼體內)連接液晶單元可以通過使用導電粘合劑來進行。更具體的是,可以將一對或多對相對的導電觸點與液晶單元相關聯,并且使用導電粘合劑來對這些電觸點進行電耦接。
授予奧斯特(Oostra)等人的美國專利申請公開號2011/0221950披露了照相機裝置。該照相機裝置包括圖像傳感器集成電路(IC)以及在該圖像傳感器IC之上的透鏡。該照相機裝置還包括在圖像傳感器IC之上的電可變焦距聚合物穩定的液晶透鏡以及在該可變焦距聚合物穩定的液晶透鏡周圍的導電膠。
參照圖1至圖3,示出了一種圖像傳感器裝置90的方案。圖像傳感器裝置90包括液晶單元91,該液晶單元包括多個單元層92a-92d以及由其所承載的多個導電觸點93a-93b。圖像傳感器裝置90包括殼體94、由該殼體承載的多條導電跡線95a-95b以及耦接這些導電跡線與這些導電觸點的導電粘膠96。殼體94和液晶單元91在其間限定了凹陷98,并且導電粘膠96填充該凹陷(在圖2A至圖2B中所示出的制造步驟期間由噴嘴97滴涂)。
發明內容
一般而言,一種圖像傳感器裝置可以包括互連層、在該互連層上并具有圖像感測表面的圖像傳感器IC以及與該互連層相鄰并且包括第一多條導電跡線的鏡筒。該圖像傳感器裝置可以包括液晶聚焦單元,該液晶聚焦單元由該鏡筒承載并且包括多個單元層以及與其相關聯的第二多個導電觸點,至少一對相鄰單元層具有不同的寬度。該圖像傳感器裝置可以包括導電粘合劑本體,該導電粘合劑本體將該第二多個導電觸點中的至少一個導電觸點耦接至該第一多條導電跡線中的相應的導電跡線上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





