[發明專利]具有不同寬度單元層的圖像傳感器裝置及相關方法在審
| 申請號: | 201911002706.0 | 申請日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN110634904A | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發明(設計)人: | D·A·德拉克魯茲;D·加尼 | 申請(專利權)人: | 意法半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G03B3/10;G03B17/02;G03B29/00 |
| 代理公司: | 11256 北京市金杜律師事務所 | 代理人: | 郭星 |
| 地址: | 新加*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器裝置 導電觸點 導電跡線 互連層 導電粘合劑 聚焦單元 鏡筒 液晶 圖像傳感器 寬度單元 相鄰單元 單元層 耦接 承載 | ||
1.一種圖像傳感器裝置,包括:
互連層;
圖像傳感器集成電路IC,所述圖像傳感器IC在所述互連層上,并且具有圖像感測表面;
鏡筒,所述鏡筒與所述互連層相鄰,并且包括第一多條導電跡線;
液晶聚焦單元,所述液晶聚焦單元由所述鏡筒承載,所述液晶聚焦單元包括可變焦距透鏡,所述可變焦距透鏡包括多個單元層、以及與所述多個單元層相關聯的第二多個導電觸點,其中所述可變焦距透鏡的至少一對相鄰的單元層具有斜的側壁,所述斜的側壁向垂直于所述可變焦距透鏡的光軸傾斜;以及
導電粘合劑本體,所述導電粘合劑本體將所述第二多個導電觸點中的至少一個導電觸點耦接至所述第一多條導電跡線中的對應的導電跡線上。
2.如權利要求1所述的圖像傳感器裝置,其中,所述斜的側壁與所述光軸之間的角度為10度至40度。
3.如權利要求1所述的圖像傳感器裝置,其中,所述斜的側壁在與所述鏡筒相鄰的底部處較寬。
4.如權利要求1所述的圖像傳感器裝置,其中,所述導電粘合劑本體在其與所述第二多個導電觸點相對的一側上是不受限制的。
5.如權利要求1所述的圖像傳感器裝置,其中,所述液晶聚焦單元包括固態自動聚焦透鏡單元;并且其中,所述第二多個導電觸點被配置為用于控制所述固態自動聚焦透鏡單元的自動聚焦功能。
6.如權利要求1所述的圖像傳感器裝置,其中,所述液晶聚焦單元的每個單元層都是正方形形狀的。
7.一種圖像傳感器裝置,包括:
互連層;
圖像傳感器集成電路IC,所述圖像傳感器IC在所述互連層上,并且具有圖像感測表面;
鏡筒,所述鏡筒與所述互連層相鄰,并且包括
殼體,以及
由所述殼體所承載的第一多條導電跡線;
液晶聚焦單元,所述液晶聚焦單元由所述鏡筒承載,所述液晶聚焦單元包括可變焦距透鏡,所述可變焦距透鏡包括多個單元層以及第二多個導電觸點,所述第二多個導電觸點與所述多個單元層相關聯,并且被配置為用于控制所述可變焦距透鏡的自動聚焦功能,其中所述可變焦距透鏡的至少一對相鄰的單元層具有斜的側壁,所述斜的側壁向垂直于所述可變焦距透鏡的光軸傾斜;以及
導電粘合劑本體,所述導電粘合劑本體將所述第二多個導電觸點中的至少一個導電觸點耦接至所述第一多條導電跡線中的對應的導電跡線上,其中所述第一多條導電跡線從所述互連層延伸至所述第二多個導電觸點。
8.如權利要求7所述的圖像傳感器裝置,其中,所述斜的側壁與所述光軸之間的角度為10度至40度。
9.如權利要求7所述的圖像傳感器裝置,其中,所述斜的側壁在與所述鏡筒相鄰的底部處較寬。
10.如權利要求7所述的圖像傳感器裝置,其中,所述導電粘合劑本體在其與所述第二多個導電觸點相對的一側上是不受限制的。
11.一種用于制造圖像傳感器裝置的方法,所述方法包括:
將圖像傳感器集成電路IC定位在互連層上,所述圖像傳感器IC具有圖像感測表面;
定位鏡筒,所述鏡筒與所述互連層相鄰,并且包括第一多條導電跡線;
定位要由所述鏡筒承載的液晶聚焦單元,所述液晶聚焦單元包括可變焦距透鏡,所述可變焦距透鏡包括多個單元層、以及與所述多個單元層相關聯的第二多個導電觸點,其中所述可變焦距透鏡的至少一對相鄰的單元層具有斜的側壁,所述斜的側壁向垂直于所述可變焦距透鏡的光軸傾斜;以及
形成導電粘合劑本體,所述導電粘合劑本體用于將所述第二多個導電觸點中的至少一個導電觸點耦接至所述第一多條導電跡線中的對應的導電跡線上。
12.如權利要求11所述的方法,其中,所述斜的側壁與所述光軸之間的角度為10度至40度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





