[發明專利]溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法

有效

• 申請號: 201911001605.1
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN110708035B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 董加和;冷俊林;陸川
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十六研究所
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/10
• 代理公司: 重慶博凱知識產權代理有限公司 50212
• 代理人: 孫根

1.一種溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法，其特征在于：包括如下步驟：

1）清洗晶片；

2）在晶片的器件面上制作聲表面波器件的金屬芯片；

3）在金屬芯片的金屬面制作溫度補償層；

4）在溫度補償層上開槽并涂覆吸聲膠：其中，槽寬為溫度補償層上表面聲波傳播波長的0.1～50倍，深度為與溫度補償層上表面聲波傳播波長的0.1倍～整個溫度補償層厚度；該槽呈線形槽，其長度方向為垂直溫度補償層上表面傳播波的方向；吸聲膠的厚度為10nm～100nm。

2.根據權利要求1所述的溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法，其特征在于：步驟4）中，

a）先在聲通道表面涂覆10nm～100nm厚度的吸聲膠；所述吸聲膠將溫度補償層全面覆蓋或間斷分布于溫度補償層上，其中，間斷分布中吸聲膠長度方向為垂直于溫度補償層自由表面上聲波的傳播方向，間距為與空氣接觸的溫度補償層上表面聲波傳播波長的0.1～50倍，每一段寬度為與空氣接觸的溫度補償層上表面聲波傳播波長的0.1～50倍；

b）再在聲通道表面的溫度補償層表面上開槽，其中，所開槽為單槽或密集槽，當開槽為密集槽時，密集度為上表面傳播波長的0.1～100倍。

3.根據權利要求1所述的溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法，其特征在于：步驟4）中，

a）先在聲通道表面的溫度補償層表面開槽，其中所開槽為單槽或密集槽，當所開槽為密集槽時，密集度為上表面傳播波長的0.1～100倍；

b）然后在溫度補償層上表面涂覆10nm～100nm厚度的吸聲膠；所述吸聲膠將開槽填滿。

4.根據權利要求1所述的溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法，其特征在于：步驟4）中，

a）先在聲通道表面的溫度補償層表面開槽，其中所開槽為單槽或密集槽，當所開槽為密集槽時，密集度為上表面傳播波長的0.1～100倍；

b）然后在溫度補償層上表面的槽內涂覆10nm～100nm厚度的吸聲膠，且吸聲膠將槽填滿，其上側凸出于溫度補償層。

5.根據權利要求1-4中任一權利要求所述的溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法，其特征在于：所述晶片采用鉭酸鋰單晶或鈮酸鋰單晶壓電晶片。

6.根據權利要求1-4中任一權利要求所述的溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法，其特征在于：所述吸聲膠采用自然干燥型或加熱烘烤干燥型吸聲膠。

7.根據權利要求1-4中任一權利要求所述的溫度補償型聲表面波器件的溫補層上表層表面波抑制方法，其特征在于：所述溫度補償層采用二氧化硅、含氟的二氧化硅以及氮化硅類含硅介質膜。