[發明專利]一種多芯片模塊

有效

• 申請號: 201911000113.0
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN112768426B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 趙洋;劉鑫
• 申請（專利權）人: 蘇州能訊高能半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L25/16
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

一種多芯片模塊，多芯片模塊包括基底；位于基底上的中央引線框和多個外圍引線框，外圍引線框位于中央引線框的至少一側；至少一個多層電路板，多層電路板包括至少三層走線層，多層電路板的頂層表貼有多個獨立無源器件，多層電路板裝貼于部分中央引線框和至少部分外圍引線框上。通過本發明的技術方案，避免了使用鍵合線實現無源器件的設置，且避免了多層電路板引出至外圍引線框的鍵合線的使用，減少了多芯片模塊中鍵合線的數量，降低了多芯片模塊封裝時所使用的塑封對鍵合線的影響，進而降低了塑封對多芯片模塊電性能的影響，避免了塑封影響過大導致多芯片模塊失效的問題。

技術領域

本發明實施例涉及芯片領域，尤其涉及一種多芯片模塊。

背景技術

多芯片模塊(Multichip Module，MCM)一般將多個未封裝的集成電路(IC)或半導體管芯與其它分立元件放置于一個統一的基底上，在不同的應用需求下MCM可采用不同的封裝方式，其中樹脂塑封由于低廉的成本非常適合設計初期或對可靠性要求并不苛刻的應用領域。在樹脂塑封過程中，隨著塑封用料的增加，其熱膨脹效應導致的內應力愈發明顯，可能引起裸片內布線發生翹曲、部件剝離，從而導致電氣連接破壞。

在一些射頻應用中，鍵合線的長度和高度對MCM的最終性能都有顯著影響，而塑封材料會影響鍵合線周圍環境的介電常數等，塑封材料的重力還有可能導致鍵合線高度的改變，引起性能的偏差。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種多芯片模塊，避免了使用鍵合線實現無源器件的設置，且避免了多層電路板引出至外圍引線框的鍵合線的使用，減少了多芯片模塊中鍵合線的數量，降低了多芯片模塊封裝時所使用的塑封對鍵合線的影響。

本發明實施例提供了一種多芯片模塊，包括：

基底；

位于所述基底上的中央引線框和多個外圍引線框，所述外圍引線框位于所述中央引線框的至少一側；

至少一個多層電路板，所述多層電路板包括至少三層走線層，所述多層電路板的頂層表貼有多個獨立無源器件，所述多層電路板裝貼于部分所述中央引線框和至少部分所述外圍引線框上。

進一步地，所述多層電路板的底層裝貼于所述外圍引線框的區域設置有第一圖案化覆銅結構，所述多層電路板通過所述第一圖案化覆銅結構與所述外圍引線框電連接。

進一步地，所述多層電路板的中間層形成有電路網絡，所述電路網絡的外接節點通過過孔與所述第一圖案化覆銅結構電連接。

進一步地，所述多層電路板的頂層設置有多個第一孤立覆銅結構，所述第一孤立覆銅結構用于為所述獨立無源器件提供表貼電連接點。

進一步地，所述多芯片模塊還包括裝貼于所述中央引線框上的有源器件，所述有源器件鍵合至所述多層電路板。

進一步地，所述多層電路板的頂層還設置有多個第二孤立覆銅結構，所述第二孤立覆銅結構用于為所述有源器件提供鍵合電連接點。

進一步地，所述多層電路板的中間層形成有電路網絡，所述第一孤立覆銅結構以及所述第二孤立覆銅結構均通過過孔與所述電路網絡的對應節點電連接。

進一步地，所述多層電路板的頂層還設置有接入電源信號的第二圖案化覆銅結構，所述第二圖案化覆銅結構包圍所述第一孤立覆銅結構和所述第二孤立覆銅結構設置，所述第二圖案化覆銅結構、所述第一孤立覆銅結構和所述第二孤立覆銅結構兩兩電絕緣。

進一步地，所述多層電路板的底層裝貼于所述中央引線框的區域設置有接入所述電源信號的第三圖案化覆銅結構。

進一步地，所述第二圖案化覆銅結構通過過孔與所述第三圖案化覆銅結構電連接。