[發明專利]一種多芯片模塊

有效

• 申請號: 201911000113.0
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN112768426B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 趙洋;劉鑫
• 申請（專利權）人: 蘇州能訊高能半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/498;H01L25/16
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種多芯片模塊，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的中央引線框和多個外圍引線框，所述外圍引線框位于所述中央引線框的至少一側；

至少一個多層電路板，所述多層電路板包括至少三層走線層，所述多層電路板的頂層表貼有多個獨立無源器件，所述多層電路板裝貼于部分所述中央引線框和至少部分所述外圍引線框上；所述多層電路板的頂層設置有多個第一孤立覆銅結構，所述第一孤立覆銅結構用于為所述獨立無源器件提供表貼電連接點；

裝貼于所述中央引線框上的有源器件，所述有源器件鍵合至所述多層電路板；

所述多層電路板的頂層還設置有多個第二孤立覆銅結構，所述第二孤立覆銅結構用于為所述有源器件提供鍵合電連接點；

所述多層電路板的頂層還設置有接入電源信號的第二圖案化覆銅結構，所述第二圖案化覆銅結構包圍所述第一孤立覆銅結構和所述第二孤立覆銅結構設置，所述第二圖案化覆銅結構、所述第一孤立覆銅結構和所述第二孤立覆銅結構兩兩電絕緣；

所述多層電路板的底層裝貼于所述中央引線框的區域設置有接入所述電源信號的第三圖案化覆銅結構。

2.根據權利要求1所述的多芯片模塊，其特征在于，所述多層電路板的底層裝貼于所述外圍引線框的區域設置有第一圖案化覆銅結構，所述多層電路板通過所述第一圖案化覆銅結構與所述外圍引線框電連接。

3.根據權利要求2所述的多芯片模塊，其特征在于，所述多層電路板的中間層形成有電路網絡，所述電路網絡的外接節點通過過孔與所述第一圖案化覆銅結構電連接。

4.根據權利要求1所述的多芯片模塊，其特征在于，所述多層電路板的中間層形成有電路網絡，所述第一孤立覆銅結構以及所述第二孤立覆銅結構均通過過孔與所述電路網絡的對應節點電連接。

5.根據權利要求1所述的多芯片模塊，其特征在于，所述第二圖案化覆銅結構通過過孔與所述第三圖案化覆銅結構電連接。