[發(fā)明專利]一種新型的半導體器件的終端結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910999623.7
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN110676309A
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳譯;陳利;陳彬;陳劍
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門芯一代集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型的半導體器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括n-襯底（11）、P型擴散層（12）、p+型表面擴散層（13）、n+型表面擴散層（14、15）、p+層（16）、柵極氧化層（20）、源極電極（21）、柵極電極（22）、漏極電極（23）和窄寬溝道（25）；所述P型擴散層（12）位于n-襯底（11）上表面一側(cè)的凹槽內(nèi)，P型擴散層（12）上表面左右分別為p+型表面擴散層（13）和n+型表面擴散層（14），二者上表面引出源極電極（21）；所述柵極氧化層（20）橫跨在P型擴散層（12）和窄寬溝道（25）之間，上表面引出柵極電極（22）；所述窄寬溝道（25）用二氧化硅進行填充，并設(shè)有多列，相鄰的窄寬溝道（25）間由n-襯底（11）表面上形成的p+層(16)進行連接；所述位于n-襯底（11）上表面另一側(cè)的n+型表面擴散層（15）表面引出漏極電極（23）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型的半導體器件的終端結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述多列窄寬溝道（25）的制備方法步驟如下：

（a）提供一n-襯底（11），在所述n-襯底（11）表面中部形成導電p+層（16）；

（b）在所述p+層（16）區(qū)域經(jīng)光刻、刻蝕形成多列溝道；

（c）經(jīng)光刻、刻蝕，在所述n-襯底（11）表面覆蓋一層熱氧絕緣層（31）；

（d）淀積CVD堆積的絕緣層（32），覆蓋在所述熱氧絕緣層（31）表面，且填滿溝道；

（e）對所述CVD堆積的絕緣層（32）和熱氧絕緣層（31）采用化學機械拋光技術(shù)，使其表面和所述p+層（16）上表面相平。