[發(fā)明專利]半導體制造裝置及半導體制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910993980.2
• 申請日: 2019-10-18
• 公開（公告）號: CN111092028B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發(fā)明（設計）人: 田中博司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導體制造裝置，其具備：

卡盤臺，其通過端部對半導體晶片進行夾持；

洗滌器噴嘴，其向所述半導體晶片的處理面噴出洗滌流體；

洗滌器噴嘴掃描機構，其使所述洗滌器噴嘴在所述半導體晶片的所述處理面之上進行掃描；

工作臺旋轉機構，其使所述卡盤臺旋轉；以及

保持臺，其具有保持流體噴嘴和頂板，該保持流體噴嘴向所述半導體晶片的與所述處理面相反側的面?zhèn)葒姵霰３至黧w，在該頂板將所述保持流體噴嘴與周緣部相比配置于中心側，該頂板的一個主面朝向所述半導體晶片的所述相反側的面，

使從所述保持流體噴嘴噴出的所述保持流體通過所述半導體晶片的所述相反側的面和所述頂板的所述一個主面之間的區(qū)域，由此在所述區(qū)域產生保持力，

通過所述保持力，由所述相反側的面保持通過從所述洗滌器噴嘴噴出的所述洗滌流體而對所述半導體晶片的所述處理面施加的壓力。

2.根據權利要求1所述的半導體制造裝置，其中，

所述保持力由所述保持流體的壓力以及通過所述保持流體的流速而產生的引力構成。

3.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置，其中，

所述保持臺被嵌入至所述卡盤臺，

所述保持流體噴嘴不旋轉，所述頂板與所述卡盤臺一起旋轉。

4.根據權利要求3所述的半導體制造裝置，其中，

所述頂板的外形是圓形，

從所述半導體晶片的外徑減去所述頂板的外徑而得到的值小于或等于4mm。

5.根據權利要求3所述的半導體制造裝置，其中，

所述保持流體噴嘴和所述頂板以重疊的方式進行配置，所述頂板中的與所述保持流體噴嘴重疊的部分開口。

6.根據權利要求3所述的半導體制造裝置，其中，

所述保持流體噴嘴和所述頂板以隔著間隙而重疊的方式進行配置，使所述保持流體經由所述間隙而通向所述頂板的另一個主面?zhèn)龋贡３至黧w經由在所述頂板設置的多個孔從所述頂板的所述另一個主面?zhèn)韧ㄏ蛩鲆粋€主面?zhèn)取?/p>

7.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置，其中，

還具備使所述保持臺進行掃描的保持臺掃描機構，

所述保持臺掃描機構在使所述保持臺與所述洗滌器噴嘴的掃描相匹配地進行掃描時，以所述保持流體噴嘴的保持流體噴出口不超出所述半導體晶片的外形的范圍的方式進行掃描。

8.根據權利要求7所述的半導體制造裝置，其中，

所述卡盤臺的外形是圓環(huán)狀，

所述頂板的外形是圓形，

所述卡盤臺配置于所述保持臺的外周側。

9.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置，其中，

所述洗滌器噴嘴是將液體和氣體混合噴出的二流體噴嘴，

所述保持流體噴嘴是能夠進行僅氣體的噴出、或者氣體和液體的混合噴出的噴嘴，對所述半導體晶片的所述處理面和所述相反側的面這兩面實施洗滌處理。

10.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置，其中，

所述洗滌器噴嘴是將液體和氣體混合噴出的二流體噴嘴，

所述保持流體噴嘴是能夠進行僅氣體的噴出、或者氣體和液體的混合噴出的噴嘴，

從所述保持流體噴嘴噴出的氣體的流量大于或等于從所述洗滌器噴嘴噴出的氣體的流量的一半。

11.一種半導體制造方法，其使用了權利要求3所述的半導體制造裝置，該半導體制造方法具備以下工序：

(a)向所述保持臺之上供給所述保持流體；

(b)在所述保持臺之上載置所述半導體晶片；

(c)一邊使所述半導體晶片旋轉一邊使所述洗滌器噴嘴進行掃描而進行洗滌處理；

(d)從所述保持臺取出所述半導體晶片；以及

(e)停止所述保持流體的供給。

12.一種半導體制造方法，其使用了權利要求7所述的半導體制造裝置，該半導體制造方法具備以下工序：

(f)向所述保持臺之上供給所述保持流體；

(g)在所述保持臺之上載置所述半導體晶片；

(h)一邊使所述半導體晶片旋轉一邊使所述洗滌器噴嘴和所述保持臺進行掃描而進行洗滌處理；

(i)從所述保持臺取出所述半導體晶片；以及

(j)停止所述保持流體的供給。