[發明專利]半導體制造裝置及半導體制造方法

有效

• 申請號: 201910993980.2
• 申請日: 2019-10-18
• 公開（公告）號: CN111092028B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 田中博司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

目的在于提供即使是加工得薄的晶片，也遍及晶片整面得到充分的異物去除性能的半導體制造裝置及半導體制造方法。半導體制造裝置具備：卡盤臺(8)；洗滌器噴嘴(2)；洗滌器噴嘴掃描機構(11)；工作臺旋轉機構(12)；及保持臺(41)，其具有保持流體噴嘴(41a)和頂板(41b)，保持流體噴嘴向晶片(1)的與處理面相反側的面側噴出保持流體，在頂板(41b)將保持流體噴嘴與周緣部相比配置于中心側，頂板的一個主面朝向晶片的相反側的面。使從保持流體噴嘴噴出的保持流體通過晶片的相反側的面和頂板的一個主面間的區域，由此在該區域產生保持力，通過保持力在相反側的面保持通過從洗滌器噴嘴噴出的洗滌流體(3)而對晶片的處理面施加的壓力。

技術領域

本發明涉及通過向半導體晶片噴出流體而實現的異物去除技術。

背景技術

在半導體的制造工序中，有時微粒以及塵埃等異物會附著于半導體晶片的處理面。由于異物會引起電路的故障等，因此，需要將在半導體晶片的處理面附著的異物去除。作為將在半導體晶片的處理面附著的異物去除的方法，存在向半導體晶片的處理面噴出流體的技術(例如，參照專利文獻1)。

說明通常使用的向半導體晶片的處理面噴出流體的技術。下面，將“半導體晶片”簡單表示為“晶片”。為了使說明簡單，限定于表示晶片和卡盤銷的關系的部分而進行說明。晶片通過支撐銷對抗重力而被支撐，通過卡盤銷在徑向上被夾持。在該狀態下，一邊使晶片與卡盤臺一起旋轉，一邊對晶片實施處理。

專利文獻1：日本特開2017-188695號公報

在晶片被加工得薄的情況下，晶片由于從洗滌器噴嘴向晶片的處理面之上噴出的洗滌流體的壓力而容易翹曲，處理面的反面側與卡盤臺接觸，存在由于接觸而破損的風險。因此，存在如下問題，即，無法將洗滌流體提高至足以去除異物的壓力，不能得到充分的異物去除性能。這里，晶片的處理面的反面側是晶片的與處理面相反側的面側。

特別是，在洗滌器噴嘴處于晶片端部的附近的情況下，由于洗滌流體的壓力，容易以支撐銷為起點產生晶片的破裂。因此，不能使洗滌器噴嘴靠近晶片端部，有時在晶片端部殘留的異物會在后面的工序中成為問題。

另外，在專利文獻1記載的技術中，從流體供給通道導入的壓力流體在支撐臺的整個支撐面擴散，承受向基板施加的載荷。但是，支撐臺不對基板的端部附近進行支撐，因此，不能承受向基板的端部附近施加的載荷，不能遍及晶片整面而得到充分的異物去除性能。

發明內容

因此，本發明是為了解決上述課題而提出的，目的在于提供即使是加工得薄的晶片，也遍及晶片整面得到充分的異物去除性能的半導體制造裝置以及半導體制造方法。

本發明涉及的半導體制造裝置具備：卡盤臺，其通過端部對晶片進行夾持；洗滌器噴嘴，其向所述晶片的處理面噴出洗滌流體；洗滌器噴嘴掃描機構，其使所述洗滌器噴嘴在所述晶片的所述處理面之上進行掃描；工作臺旋轉機構，其使所述卡盤臺旋轉；以及保持臺，其具有保持流體噴嘴和頂板，該保持流體噴嘴向所述晶片的與所述處理面相反側的面側噴出保持流體，在該頂板將所述保持流體噴嘴與周緣部相比配置于中心側，該頂板的一個主面朝向所述晶片的所述相反側的面，使從所述保持流體噴嘴噴出的所述保持流體通過所述晶片的所述相反側的面和所述頂板的所述一個主面之間的區域，由此在所述區域產生保持力，通過所述保持力，由所述相反側的面保持通過從所述洗滌器噴嘴噴出的所述洗滌流體而對所述晶片的所述處理面施加的壓力。

發明的效果

根據本發明，即使是加工得薄的晶片，也遍及晶片整面而得到充分的異物去除性能。

附圖說明

圖1是表示實施方式1涉及的半導體制造裝置的洗滌流體和其壓力分布的概略圖。

圖2是表示實施方式1涉及的半導體制造裝置的晶片保持壓力和晶片保持引力的概略圖。