[發(fā)明專利]輸出驅(qū)動電路及存儲器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910981694.4 | 申請日: | 2019-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN112669890A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許艷 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/4076 | 分類號: | G11C11/4076;G11C7/22 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;高翠花 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 輸出 驅(qū)動 電路 存儲器 | ||
1.一種輸出驅(qū)動電路,其特征在于,包括至少一驅(qū)動模塊,所述驅(qū)動模塊包括:
信號輸入端,輸入一控制信號和一具有預(yù)設(shè)占空比的輸入信號,所述輸入信號包括互補(bǔ)的正輸入信號及負(fù)輸入信號;
上拉NMOS管,其漏極與電源電壓連接;
上拉電阻,其第一端與所述上拉NMOS管的源極連接;
上拉預(yù)放大單元,所述上拉預(yù)放大單元的輸入端接所述信號輸入端,所述上拉預(yù)放大單元的輸出端接所述上拉NMOS管的柵極,所述上拉預(yù)放大單元將所述信號輸入端的正輸入信號放大并改變占空比后輸出第一輸出信號,所述第一輸出信號具有一第一占空比,所述第一占空比比所述預(yù)設(shè)占空比增大一設(shè)定值;
下拉NMOS管,其源極接地;
下拉電阻,其第二端與所述下拉NMOS管的漏極連接;
下拉預(yù)放大單元,所述下拉預(yù)放大單元的輸入端接所述信號輸入端,所述下拉預(yù)放大單元的輸出端接所述下拉NMOS管的柵極,所述下拉預(yù)放大單元將所述信號輸入端的負(fù)輸入信號放大并改變占空比后輸出第二輸出信號,所述第二輸出信號具有一第二占空比,所述第二占空比比所述預(yù)設(shè)占空比減小所述設(shè)定值;
信號輸出端,與所述上拉電阻的第二端及所述下拉電阻的第一端連接,輸出第三輸出信號,所述第三輸出信號具有一第三占空比,所述第三占空比與所述預(yù)設(shè)占空比相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出驅(qū)動電路,其特征在于,所述上拉預(yù)放大單元包括至少一占空比調(diào)整單元一及至少一占空比控制單元一,所述占空比調(diào)整單元一的輸入端接所述正輸入信號,所述占空比控制單元一的輸入端接控制信號,所述占空比控制單元一的輸出端連接所述占空比調(diào)整單元一并可以調(diào)節(jié)所述占空比調(diào)整單元一的輸出信號占空比的大小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輸出驅(qū)動電路,其特征在于,所述占空比調(diào)整單元一包括至少一反相器組,所述反相器組包括串聯(lián)的第一反相器及第二反相器,所述第一反相器包括多個并聯(lián)的PMOS管組成的第一PMOS管陣列及多個并聯(lián)的NMOS管組成的第一NMOS管陣列,所述第二反相器包括多個并聯(lián)的PMOS管組成的第二PMOS管陣列及多個并聯(lián)的NMOS管組成的第二NMOS管陣列;
所述占空比控制單元一輸出一第一占空比控制信號至所述第一反相器的輸入端;
所述第一反相器根據(jù)所述第一占空比控制信號及所述正輸入信號調(diào)整所述第一PMOS管陣列中的PMOS導(dǎo)通的數(shù)量及第一NMOS管陣列中NMOS管導(dǎo)通的數(shù)量,并輸出一第一反相器輸出信號,所述第二反相器接收所述第一反相器輸出信號,以使所述第一輸出信號的第一占空比比所述預(yù)設(shè)占空比增大所述設(shè)定值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輸出驅(qū)動電路,其特征在于,所述占空比控制單元一還能夠輸出一第二占空比控制信號至所述第二反相器的輸入端,所述第二反相器根據(jù)所述第二占空比控制信號及所述第一反相器輸出信號調(diào)整所述第二PMOS管陣列中的PMOS導(dǎo)通的數(shù)量及第二NMOS管陣列中NMOS管導(dǎo)通的數(shù)量,以使所述第一輸出信號的第一占空比比所述預(yù)設(shè)占空比增大所述設(shè)定值。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輸出驅(qū)動電路,其特征在于,所述第一反相器根據(jù)所述第一占空比控制信號及所述輸入信號減少或增大所述第一PMOS管陣列中的PMOS管導(dǎo)通的數(shù)量及增大或減少第一NMOS管陣列中NMOS管導(dǎo)通的數(shù)量,以使所述第一輸出信號的第一占空比比所述預(yù)設(shè)占空比增大所述設(shè)定值。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輸出驅(qū)動電路,其特征在于,所述上拉預(yù)放大單元還包括至少一放大器一,所述放大器一的輸入端接所述占空比調(diào)整單元一的輸出端,所述放大器一的輸出端為所述上拉預(yù)放大單元的輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出驅(qū)動電路,其特征在于,所述下拉預(yù)放大單元包括至少一占空比調(diào)整單元二及至少一占空比控制單元二,所述占空比調(diào)整單元二的輸入端接負(fù)輸入信號,所述占空比控制單元二的輸入端接控制信號,所述占空比控制單元二的輸出端連接所述占空比調(diào)整單元二并可以調(diào)節(jié)所述占空比調(diào)整單元二的輸出信號占空比的大小。
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