[發明專利]用于制造太陽能電池的方法和太陽能電池

在審

• 申請號: 201910979683.2
• 申請日: 2019-10-15
• 公開（公告）號: CN112670368A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 呂錦滇;林綱正;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 趙林琳;張鵬

本公開涉及用于制造太陽能電池的方法，包括：提供由半導體材料構成的基底，基底具有第一類型；通過擴散技術在基底的正面形成具有第二類型的第一半導體區域，第二類型與第一類型相反；在基底的背面提供鈍化膜；對基底的背面進行激光開槽，使得在鈍化膜處形成多個開槽區域，其中在每個開槽區域的寬度內包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑對開槽區域進行開槽的部分，第二部分表示不以激光光斑對開槽區域進行開槽的部分；在基底的正面提供正電極，使得正電極與具有第二類型的第一半導體區域接觸；以及述基底的背面提供背電極，使得背電極通過開槽區域與具有第一類型的基底接觸。

技術領域

本公開的各實施例涉及太陽能電池領域，具體地涉及一種用于制造太陽能電池的方法和相應的太陽能電池。

背景技術

目前晶體硅太陽能電池大多數以P型硅片為基底材料，P型電池在實際環境中經過光照后電池效率會發生極大的衰減，絕對效率會降低至1-2％，即所謂的光致衰減(LID：Light induced degradation)。

光致衰減現象最早在1973年由Fishcher等人發現，并同時研究在黑暗條件下對電池加正向偏壓，也會發生電池效率衰減，即所謂的電致衰減(CID：Current induceddegradation)。

光致衰減常作為太陽能電池品質檢測的一個標準，而電致衰減則極少作為標準。但是太陽能電池的光致衰減過程經常受到天氣等因素的影響，所以電致衰減的檢測逐漸被廣大研究人員所認可，并探究其機理。

電致衰減一方面類似光致衰減，證實是由于硅片中導入過剩載流子使硅片中形成復合中心，即著名的B-O缺陷體或金屬雜質缺陷。由于目前對電致衰減的檢測條件為小注入情況，溫度為100度左右，與多晶電池的光熱衰減(LETID：Light and elevatedtemperature induced degradation)測試溫度類似。目前廣大科研人員針對此類衰減提出機理：其一，由過量H產生雜質復合中心(正面介質膜H含量)；其二，硅片基底內金屬雜質(Cu、Fe、Ni等)復合中心；其三，即上述B-O缺陷復合體；其四，背膜鈍化衰減現象。

發明內容

本公開的實施例提供了一種用于制造太陽能電池的方法和相應的太陽能電池。

在本公開的第一方面，提供了一種用于制造太陽能電池的方法。該方法包括：提供由半導體材料構成的基底，基底具有第一類型；通過擴散技術在基底的正面處形成具有第二類型的第一半導體區域，第二類型與第一類型相反；在基底的背面提供鈍化膜；對基底的背面進行激光開槽，使得在鈍化膜處形成多個開槽區域，其中在每個開槽區域的寬度內包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑對開槽區域進行開槽的部分，第二部分表示不以激光光斑對開槽區域進行開槽的部分；在基底的正面提供正電極，使得正電極與具有第二類型的第一半導體區域接觸；以及述基底的背面提供背電極，使得背電極通過開槽區域與具有第一類型的基底接觸。

在本公開的第二方面，提供了一種太陽能電池。該太陽能電池通過根據本公開第一方面的方法制造。

在本公開的第三方面，提供了一種太陽能電池。該太陽能電池包括：由半導體材料構成的基底，基底具有第一類型；位于基底正面的第一半導體區域，第一半導體區域具有與第一類型相反的第二類型；正電極，正電極與第一半導體區域接觸；位于基底背面的鈍化膜，鈍化膜包括多個開槽區域，其中在每個開槽區域的寬度內包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑對開槽區域進行開槽的部分，第二部分表示不以激光光斑對開槽區域進行開槽的部分；以及背電極，背電極通過開槽區域與基底接觸。

提供發明內容部分是為了以簡化的形式來介紹對概念的選擇，它們在下文的具體實施方式中將被進一步描述。發明內容部分無意標識本公開的關鍵特征或必要特征，也無意限制本公開的范圍。

附圖說明