[發(fā)明專利]用于制造太陽(yáng)能電池的方法和太陽(yáng)能電池

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910979683.2
• 申請(qǐng)日: 2019-10-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112670368A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂錦滇;林綱正;陳剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 趙林琳;張鵬

本公開(kāi)涉及用于制造太陽(yáng)能電池的方法，包括：提供由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的基底，基底具有第一類型；通過(guò)擴(kuò)散技術(shù)在基底的正面形成具有第二類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域，第二類型與第一類型相反；在基底的背面提供鈍化膜；對(duì)基底的背面進(jìn)行激光開(kāi)槽，使得在鈍化膜處形成多個(gè)開(kāi)槽區(qū)域，其中在每個(gè)開(kāi)槽區(qū)域的寬度內(nèi)包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑對(duì)開(kāi)槽區(qū)域進(jìn)行開(kāi)槽的部分，第二部分表示不以激光光斑對(duì)開(kāi)槽區(qū)域進(jìn)行開(kāi)槽的部分；在基底的正面提供正電極，使得正電極與具有第二類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域接觸；以及述基底的背面提供背電極，使得背電極通過(guò)開(kāi)槽區(qū)域與具有第一類型的基底接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)的各實(shí)施例涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，具體地涉及一種用于制造太陽(yáng)能電池的方法和相應(yīng)的太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)

目前晶體硅太陽(yáng)能電池大多數(shù)以P型硅片為基底材料，P型電池在實(shí)際環(huán)境中經(jīng)過(guò)光照后電池效率會(huì)發(fā)生極大的衰減，絕對(duì)效率會(huì)降低至1-2％，即所謂的光致衰減(LID：Light induced degradation)。

光致衰減現(xiàn)象最早在1973年由Fishcher等人發(fā)現(xiàn)，并同時(shí)研究在黑暗條件下對(duì)電池加正向偏壓，也會(huì)發(fā)生電池效率衰減，即所謂的電致衰減(CID：Current induceddegradation)。

光致衰減常作為太陽(yáng)能電池品質(zhì)檢測(cè)的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，而電致衰減則極少作為標(biāo)準(zhǔn)。但是太陽(yáng)能電池的光致衰減過(guò)程經(jīng)常受到天氣等因素的影響，所以電致衰減的檢測(cè)逐漸被廣大研究人員所認(rèn)可，并探究其機(jī)理。

電致衰減一方面類似光致衰減，證實(shí)是由于硅片中導(dǎo)入過(guò)剩載流子使硅片中形成復(fù)合中心，即著名的B-O缺陷體或金屬雜質(zhì)缺陷。由于目前對(duì)電致衰減的檢測(cè)條件為小注入情況，溫度為100度左右，與多晶電池的光熱衰減(LETID：Light and elevatedtemperature induced degradation)測(cè)試溫度類似。目前廣大科研人員針對(duì)此類衰減提出機(jī)理：其一，由過(guò)量H產(chǎn)生雜質(zhì)復(fù)合中心(正面介質(zhì)膜H含量)；其二，硅片基底內(nèi)金屬雜質(zhì)(Cu、Fe、Ni等)復(fù)合中心；其三，即上述B-O缺陷復(fù)合體；其四，背膜鈍化衰減現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種用于制造太陽(yáng)能電池的方法和相應(yīng)的太陽(yáng)能電池。

在本公開(kāi)的第一方面，提供了一種用于制造太陽(yáng)能電池的方法。該方法包括：提供由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的基底，基底具有第一類型；通過(guò)擴(kuò)散技術(shù)在基底的正面處形成具有第二類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域，第二類型與第一類型相反；在基底的背面提供鈍化膜；對(duì)基底的背面進(jìn)行激光開(kāi)槽，使得在鈍化膜處形成多個(gè)開(kāi)槽區(qū)域，其中在每個(gè)開(kāi)槽區(qū)域的寬度內(nèi)包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑對(duì)開(kāi)槽區(qū)域進(jìn)行開(kāi)槽的部分，第二部分表示不以激光光斑對(duì)開(kāi)槽區(qū)域進(jìn)行開(kāi)槽的部分；在基底的正面提供正電極，使得正電極與具有第二類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域接觸；以及述基底的背面提供背電極，使得背電極通過(guò)開(kāi)槽區(qū)域與具有第一類型的基底接觸。

在本公開(kāi)的第二方面，提供了一種太陽(yáng)能電池。該太陽(yáng)能電池通過(guò)根據(jù)本公開(kāi)第一方面的方法制造。

在本公開(kāi)的第三方面，提供了一種太陽(yáng)能電池。該太陽(yáng)能電池包括：由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的基底，基底具有第一類型；位于基底正面的第一半導(dǎo)體區(qū)域，第一半導(dǎo)體區(qū)域具有與第一類型相反的第二類型；正電極，正電極與第一半導(dǎo)體區(qū)域接觸；位于基底背面的鈍化膜，鈍化膜包括多個(gè)開(kāi)槽區(qū)域，其中在每個(gè)開(kāi)槽區(qū)域的寬度內(nèi)包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑對(duì)開(kāi)槽區(qū)域進(jìn)行開(kāi)槽的部分，第二部分表示不以激光光斑對(duì)開(kāi)槽區(qū)域進(jìn)行開(kāi)槽的部分；以及背電極，背電極通過(guò)開(kāi)槽區(qū)域與基底接觸。

提供發(fā)明內(nèi)容部分是為了以簡(jiǎn)化的形式來(lái)介紹對(duì)概念的選擇，它們?cè)谙挛牡木唧w實(shí)施方式中將被進(jìn)一步描述。發(fā)明內(nèi)容部分無(wú)意標(biāo)識(shí)本公開(kāi)的關(guān)鍵特征或必要特征，也無(wú)意限制本公開(kāi)的范圍。

附圖說(shuō)明