[發(fā)明專利]用于制造太陽能電池的方法和太陽能電池

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910979683.2
• 申請日: 2019-10-15
• 公開（公告）號: CN112670368A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂錦滇;林綱正;陳剛
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 趙林琳;張鵬

1.一種用于制造太陽能電池的方法，包括：

提供由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的基底，所述基底具有第一類型；

通過擴散技術(shù)在所述基底的正面處形成具有第二類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二類型與所述第一類型相反；

在所述基底的背面提供鈍化膜；

對所述基底的背面進行激光開槽，使得在所述鈍化膜處形成多個開槽區(qū)域，其中在每個所述開槽區(qū)域的寬度內(nèi)包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑對所述開槽區(qū)域進行開槽的部分，第二部分表示不以激光光斑對所述開槽區(qū)域進行開槽的部分；

在所述基底的正面提供正電極，使得所述正電極與具有第二類型的所述第一半導(dǎo)體區(qū)域接觸；以及

在所述基底的背面提供背電極，使得所述背電極通過所述開槽區(qū)域與具有第一類型的所述基底接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過改變所述激光光斑的排列能夠調(diào)整所述開槽區(qū)域的開槽面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述激光光斑包括實線部分和虛線部分，所述激光光斑的實線部分的寬度限定所述開槽區(qū)域的第一部分的寬度，所述激光光斑的虛線部分的寬度限定所述開槽區(qū)域的第二部分的寬度，并且通過改變所述實線部分與所述虛線部分的比例來調(diào)整所述開槽區(qū)域的開槽面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述實線部分的范圍為0.5mm-1mm，所述虛線部分的范圍為0.2mm-1mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中通過激光頻率為700-950kHz、雕刻速度為20000-35000mm/s、激光光斑直徑為20-40μm、激光根數(shù)為149根的激光工藝來進行所述激光開槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述開槽面積為165-400mm²。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，還包括：

在通過擴散技術(shù)形成具有第二類型的所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之前，對所述基底進行表面制絨。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，還包括：

在所述基底的正面進行激光處理，以形成具有第二類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的摻雜濃度大于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的摻雜濃度；以及

對所述基底的背面和四周進行刻蝕，以去除位于所述基底的背面和四周處的與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域具有相同類型的部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，還包括：

在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的上方提供減反膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，

所述減反膜通過SiNx沉積形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，

所述鈍化膜通過Al2O3/SiNx沉積形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，

所述太陽能電池是PERC雙面電池。

13.一種太陽能電池，其中所述太陽能電池根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的方法制造。