[發明專利]一種芯片封裝方法及封裝結構有效
| 申請號: | 201910977524.9 | 申請日: | 2019-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN110690165B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 李林萍;盛荊浩;江舟 | 申請(專利權)人: | 杭州見聞錄科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/78;H01L23/48;H03H3/02;H03H3/08;H03H9/54;H03H9/64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 封裝 方法 結構 | ||
1.一種芯片封裝方法,其特征在于,包括:
提供晶圓,所述晶圓包括相對設置的第一表面和第二表面,所述晶圓的第一表面上至少形成有兩個功能電路區和位于所述功能電路區周圍的多個焊墊;
在所述焊墊上形成鈍化層;
在所述鈍化層上形成第一鍵合層;
提供基板,所述基板包括相對設置的第三表面和第四表面,所述基板的第三表面內形成有第二鍵合層;
將所述第一鍵合層與所述第二鍵合層鍵合,使得所述第三表面與所述鈍化層背離所述晶圓的表面貼合在一起;
減薄所述基板得到減薄后基板;
制作開孔,所述開孔至少依次貫穿所述基板、所述鈍化層,暴露出所述焊墊;
填充所述開孔;
沿相鄰所述焊墊之間的區域進行切割,形成多個芯片封裝結構。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述在所述鈍化層上形成第一鍵合層,具體包括:
在所述鈍化層上開設第一凹槽;
采用鑲嵌式工藝填充所述第一凹槽,形成所述第一鍵合層,所述第一鍵合層背離所述鈍化層的表面與所述鈍化層背離所述焊墊的表面齊平。
3.根據權利要求2所述的芯片封裝方法,其特征在于,在形成所述第一鍵合層后,還包括:
平坦化所述第一鍵合層和所述鈍化層的表面,使得所述第一鍵合層和所述鈍化層的表面齊平。
4.根據權利要求2所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述提供基板,所述基板包括相對設置的第三表面和第四表面,所述基板的第三表面內形成有第二鍵合層,具體包括:
提供基板基體,所述基板基體包括相對設置的第三表面和第四表面;
在所述第三表面開設第二凹槽;
采用鑲嵌式工藝填充所述第二凹槽,形成所述第二鍵合層,所述第二鍵合層背離所述基板的表面與所述第三表面齊平。
5.根據權利要求4所述的芯片封裝方法,其特征在于,還包括:
在所述第三表面開設第三凹槽,所述第三凹槽的位置與鍵合后所述晶圓上的功能電路區的位置相對設置。
6.根據權利要求4所述的芯片封裝方法,其特征在于,在所述形成所述第二鍵合層之后還包括:
平坦化所述第二鍵合層和所述基板基體的表面,使得所述第二鍵合層和所述基板基體的表面齊平。
7.根據權利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述制作開孔,具體包括:
在所述減薄后基板背離所述第三表面的表面通過刻蝕工藝,依次刻蝕所述基板、所述第二鍵合層和所述鈍化層,暴露出所述焊墊,形成開孔。
8.根據權利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述制作開孔,具體包括:
在所述減薄后基板背離所述第三表面的表面通過刻蝕工藝,依次刻蝕所述基板、所述第二鍵合層、所述第一鍵合層和所述鈍化層,暴露出所述焊墊,形成開孔。
9.根據權利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,還包括:
在填充后的開孔上方植球。
10.根據權利要求1所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述第一鍵合層和所述第二鍵合層的材質相同,均為金屬材質。
11.根據權利要求10所述的芯片封裝方法,其特征在于,所述第一鍵合層的材質包括銅、金或銅錫合金。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





