[發明專利]修正掩膜圖案的方法

在審

• 申請號: 201910976793.3
• 申請日: 2019-10-11
• 公開（公告）號: CN112650020A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 王良;候永強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;H01L21/308
• 代理公司: 北京市一法律師事務所 11654
• 代理人: 劉榮娟

本申請公開了一種修正掩膜圖案的方法，其中，所述掩膜圖案包括第一圖形以及與所述第一圖形相交于一點的第二圖形，所述方法包括：形成第三圖形，所述第三圖形位于所述第一圖形和所述第二圖形的交點附近并被配置為防止所述第一圖形或所述第二圖形的、穿過所述交點的邊線在OPC之后發生位移。本申請所公開的方法通過設置額外的修正圖形以補償OPC后可能發生的邊界漂移，從而避免了在后續倒角處理時出現邊界外擴現象，進而避免了蝕刻過程中的過度切割。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術，尤其涉及一種修正掩膜圖案的方法。

背景技術

當集成電路制造工藝發展到10nm以下時，需要更先進的圖案化技術來生成諸如鰭式場效晶體管(FinFET)的精密器件。一種重要的圖案化技術是自對準多重構圖(Self-Aligned Multi Patterning，SAMP)。然而，對于SAMP來說，在對掩模圖案進行光學鄰近修正(Optical Proximity Correction，OPC)時，首先要對原始掩模圖案進行分段或分區，然后執行模擬修正循環的多次迭代，直到修正后的圖案與原始設計逼近。由于點接觸角對角(Point-Touch Corner-to-Corner)圖案易于在OPC迭代過程中違反MRC(Mask Rule Check)約束，因此得到的OPC結果常常變得不可用。具體地，在兩個圖形的接觸點處可能會發生邊界漂移，該邊界漂移將會導致在對掩模圖案進行倒角處理時的邊界外擴，從而在后續蝕刻或切割過程中引發鰭片的過度切割。一種傳統的解決方案是選擇特定片段并在OPC迭代中利用特殊目標控制，然而這種方法僅適用于不違反MRC約束的情形，對于在OPC迭代中具有MRC違規問題的這種點接觸角對角圖案無效。

因此，需要一種修正掩膜圖案的方法來克服邊界漂移現象，從而提升倒角處理精度。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本申請的目的在于提供一種修正掩膜圖案的方法，該方法通過設置額外的修正圖形以補償OPC后可能發生的邊界漂移，從而避免了在后續倒角處理時出現邊界外擴現象，進而避免了蝕刻過程中的過度切割。

在下文中給出了關于本申請的簡要概述，以便提供關于本申請的某些方面的基本理解。應當理解，該部分并不意圖確定本申請的關鍵或重要部分，也不是意圖限定本申請的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。

本申請的一個方面提供了一種修正掩膜圖案的方法，其中，所述掩膜圖案包括第一圖形和與所述第一圖形相交于一點的第二圖形，所述方法包括：形成第三圖形，所述第三圖形位于所述第一圖形和所述第二圖形的交點附近并被配置為防止所述第一圖形或所述第二圖形的、穿過所述交點的邊線在OPC之后發生位移。

根據本申請的一些實施例，所述第三圖形的第一邊線與所述第一圖形的穿過所述交點的第一邊線共線。

根據本申請的一些實施例，所述第三圖形的第二邊線與所述第二圖形的穿過所述交點的第一邊線共線。

根據本申請的一些實施例，所述第三圖形的最長邊的長度不超過所述OPC中的最小邊緣片段的長度。

根據本申請的一些實施例，所述掩膜還包括第四圖形，所述第四圖形位于所述交點附近并被配置為防止所述第一圖形或所述第二圖形的、穿過所述交點的邊線在OPC之后發生位移。

根據本申請的一些實施例，所述第四圖形的第一邊線與所述第一圖形的穿過所述交點的第二邊線共線。

根據本申請的一些實施例，所述第四圖形的第二邊線與所述第二圖形的穿過所述交點的第二邊線共線。

根據本申請的一些實施例，所述第四圖形的最長邊的長度不超過所述OPC中的最小邊緣片段的長度。

根據本申請的一些實施例，所述第一圖形、所述第二圖形、所述第三圖形和所述第四圖形均為矩形。