[發明專利]修正掩膜圖案的方法在審
| 申請號: | 201910976793.3 | 申請日: | 2019-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN112650020A | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 王良;候永強 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;H01L21/308 |
| 代理公司: | 北京市一法律師事務所 11654 | 代理人: | 劉榮娟 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 修正 圖案 方法 | ||
1.一種修正掩膜圖案的方法,其特征在于,
所述掩膜圖案包括:
第一圖形;以及
第二圖形,與所述第一圖形相交于一點,
所述方法包括:
形成第三圖形,所述第三圖形位于所述第一圖形和所述第二圖形的交點附近并被配置為防止所述第一圖形或所述第二圖形的、穿過所述交點的邊線在OPC之后發生位移。
2.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述第三圖形的第一邊線與所述第一圖形的穿過所述交點的第一邊線共線。
3.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述第三圖形的第二邊線與所述第二圖形的穿過所述交點的第一邊線共線。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第三圖形的最長邊的長度不超過所述OPC中的最小邊緣片段的長度。
5.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,還包括:
第四圖形,位于所述交點附近并被配置為防止所述第一圖形或所述第二圖形的、穿過所述交點的邊線在OPC之后發生位移。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述第四圖形的第一邊線與所述第一圖形的穿過所述交點的第二邊線共線。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述第四圖形的第二邊線與所述第二圖形的穿過所述交點的第二邊線共線。
8.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述第四圖形的最長邊的長度不超過所述OPC中的最小邊緣片段的長度。
9.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一圖形、所述第二圖形、所述第三圖形和所述第四圖形均為矩形。
10.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述第三圖形和所述第四圖形均為正方形。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910976793.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





