[發(fā)明專利]基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器、系統(tǒng)及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910974043.2
• 申請(qǐng)日: 2019-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110646093B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊培志;馬春陽(yáng);楊雯;杜凱翔;楊德威;鄧書康;吳紹華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 云南師范大學(xué)
• 主分類號(hào): G01J4/04
• 分類號(hào): G01J4/04
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50231
• 代理人: 舒夢(mèng)來(lái)

1.一種基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)器包括：接電帶、金屬膜和電極；

所述接電帶的一端挖設(shè)多個(gè)相互平行的孔洞和一個(gè)貫穿所有相互平行的孔洞的槽，多個(gè)所述相互平行的孔洞與所述接電帶的夾角小于90度，所述槽與所述接電帶的上下平面均平行，所述接電帶挖設(shè)孔洞和槽的一端上還覆蓋一層金屬膜，所述接電帶的另一端設(shè)置有所述電極，所述金屬膜與所述電極電連接；

所述槽和多個(gè)所述相互平行的孔洞用于增強(qiáng)對(duì)圓偏振光的吸收；利用所述金屬膜的光熱效應(yīng)，所述接電帶覆蓋所述金屬膜的一端與所述接電帶未覆蓋所述金屬膜的一端產(chǎn)生溫差，所述金屬膜和所述電極之間產(chǎn)生電信號(hào)，根據(jù)所述電信號(hào)探測(cè)圓偏振光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)器還包括擋光層，所述擋光層設(shè)置在所述接電帶未設(shè)置所述金屬膜的一端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器，其特征在于，所述擋光層的材料為氧化鈦和炭黑中任意一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器，其特征在于，所述金屬膜的材料包括：金、銀和鉬中至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器，其特征在于，所述接電帶的材料為絕緣材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)器還包括金屬顆粒層，所述金屬顆粒層設(shè)置在所述孔洞和所述槽的底部。

7.一種基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括：電流測(cè)量裝置和權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器，所述電流測(cè)量裝置的正極和負(fù)極分別與所述接電帶兩端的金屬膜和電極電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器系統(tǒng)，其特征在于，所述電流測(cè)量裝置包括：電流表、電壓表和電能表中任意一種。

9.一種基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

使用離子束刻蝕法在接電帶上刻蝕多個(gè)相互平行的孔洞和一個(gè)貫穿所有所述孔洞的槽；

使用電子束蒸發(fā)鍍膜法在所述接電帶上具有槽和孔洞的一端鍍金屬膜；

使用電子束蒸發(fā)鍍膜法在所述接電帶的另一端鍍金屬節(jié)，將所述金屬節(jié)作為電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于光熱電效應(yīng)的圓偏振光的探測(cè)器制備方法，其特征在于，所述使用電子束蒸發(fā)鍍膜法在所述接電帶上具有槽和孔洞的一端鍍金屬膜的步驟，包括：

使用電子束蒸發(fā)鍍膜法垂直于所述接電帶，對(duì)所述接電帶具有槽和孔洞的一端鍍金屬膜；

使用電子束蒸發(fā)鍍膜法垂直于所述孔洞的一個(gè)側(cè)壁，對(duì)所述孔洞的一個(gè)側(cè)壁和槽鍍金屬膜；

使用電子束蒸發(fā)鍍膜法垂直于所述孔洞的另一個(gè)側(cè)壁，對(duì)所述孔洞的另一個(gè)側(cè)壁和槽鍍金屬膜。