[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910973702.0
• 申請(qǐng)日: 2019-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112736059A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂文隆
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體封裝包含：

襯底，具有第一表面、與所述第一表面相對(duì)之第二表面、及從所述第一表面延伸至所述第二表面的開(kāi)口，其中所述開(kāi)口具有側(cè)壁；

傳導(dǎo)柱，設(shè)置于所述開(kāi)口中；及

金屬層，設(shè)置于所述襯底中；

其中所述金屬層與所述傳導(dǎo)柱實(shí)質(zhì)上位于同一水平高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬層位于所述襯底之所述第一表面及所述襯底之所述第二表面之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包含絕緣層，所述絕緣層具有與所述襯底之第一表面實(shí)質(zhì)上共平面之第一表面、及與所述第一表面相對(duì)之第二表面，其中所述第二表面接觸所述金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述絕緣層與所述襯底之間具有接口，所述接口與所述金屬層之側(cè)表面實(shí)質(zhì)上共平面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬層與所述傳導(dǎo)柱被單一襯底圍繞并且彼此間隔一距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述側(cè)壁接觸并且環(huán)繞所述傳導(dǎo)柱。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述開(kāi)口從所述襯底之所述第二表面至所述襯底之第一表面漸縮。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包含：

載體，與所述襯底之第一表面接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述載體包括傳導(dǎo)性材料。

10.一種半導(dǎo)體封裝，包含：

襯底，具有第一表面、與所述第一表面相對(duì)之第二表面、及從所述第一表面延伸至所述第二表面的開(kāi)口，其中所述開(kāi)口具有側(cè)壁；

絕緣層，具有與所述襯底之第一表面實(shí)質(zhì)上共平面之第一表面；及

金屬層，設(shè)置于所述襯底中，且與所述絕緣層接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包含：

傳導(dǎo)柱，設(shè)置于所述開(kāi)口中；

其中所述傳導(dǎo)柱與所述金屬層實(shí)質(zhì)上位于同一水平高度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬層與所述傳導(dǎo)柱被單一襯底圍繞并且彼此間隔一距離。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，進(jìn)一步包含：

傳導(dǎo)接點(diǎn)，具有設(shè)置于所述開(kāi)口中的第一部分、及從所述第一表面凸起的第二部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述金屬層在一方向上位于所述絕緣層之所述第一表面及所述襯底之所述第二表面之間。

15.一種半導(dǎo)體封裝之制造方法，包含：

提供載體；

于所述載體上形成絕緣層；

于所述絕緣層上形成金屬層；

于所述載體上形成襯底覆蓋所述絕緣層與所述金屬層；及

于所述襯底中形成第一開(kāi)口以曝露所述載體之部分表面。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝之制造方法，進(jìn)一步包含：

于所述第一開(kāi)口中、所述載體之曝露表面上形成犧牲層；及

于所述犧牲層上形成傳導(dǎo)柱。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝之制造方法，其中形成所述傳導(dǎo)柱包含施加電壓至所述載體并電鍍傳導(dǎo)性材料于所述第一開(kāi)口中。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝之制造方法，進(jìn)一步包含：

于所述傳導(dǎo)柱及所述襯底上形成一晶種層。