[發明專利]固態成像器件及固態成像器件的制造方法在審
| 申請號: | 201910972850.0 | 申請日: | 2014-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN110660819A | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發明(設計)人: | 桝田佳明;宮波勇樹;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳樹;渡邊一史;荻田知治 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H04N5/369;G02B1/118 |
| 代理公司: | 11290 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態成像器件 凹入結構 第一表面 半導體基板 背面照射型 第二表面 電子裝置 靈敏度 混色 惡化 應用 制造 收入 | ||
本發明涉及能夠在抑制混色惡化的同時提高靈敏度的固態成像器件以及固態成像器件的制造方法電子裝置。所述固態成像器件包括:半導體基板,具有接收入射光的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面;第一溝槽和第二溝槽,設置在所述半導體基板的所述第一表面中;以及第一凹入結構和第二凹入結構,設置在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間,并在所述半導體基板的所述第一表面中,所述第一凹入結構和所述第二凹入結構的深度比所述第一溝槽和所述第二溝槽的深度淺。本發明的技術可例如應用于背面照射型固態成像器件。
本申請是申請日為2014年06月20日、發明名稱為“固態成像器件、固態成像器件的制造方法及電子裝置”的申請號為201480028257.6專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及固態成像器件、固態成像器件的制造方法以及電子裝置,并具體地涉及能夠在抑制混色惡化的同時提高靈敏度的固態成像器件、固態成像器件的制造方法以及電子裝置。
背景技術
在固態成像器件中,已經提出了所謂的蛾眼結構(moth-eye structure)以作為用于防止入射光反射的結構,在蛾眼結構中,在形成有光電二極管的硅層的處于光接收表面側的界面上設置微細凸凹結構(例如,參見專利文獻1和2)。
引用文獻列表
專利文獻
專利文獻1:日本專利申請特開第2010-272612號
專利文獻2:日本專利申請特開第2013-33864號
發明內容
本發明要解決的問題
然而,能夠通過防止入射光反射來提高靈敏度的蛾眼結構還會引起更大的漫射,使得大量的光泄漏到鄰近像素中,并因而使混色惡化。
本發明是考慮到這種情況而提出的,且本發明的目的在于在抑制混色劣化的同時提高靈敏度。
問題的解決方案
根據本發明的第一方面的固態成像器件包括:具有蛾眼結構的防反射部,其設置在處于二維地布置的每個像素的光電轉換區域的光接收表面側的界面上;以及用于以阻擋入射光的像素間遮光部,其設置在所述防反射部的所述界面下方。
根據本發明的第二方面的固態成像器件的制造方法包括:在處于二維地布置的每個像素的光電轉換區域的光接收表面側的界面上形成具有蛾眼結構的防反射部;以及在所述防反射部的所述界面下方形成用于阻擋入射光的像素間遮光部。
在本發明的第二方面中,具有所述蛾眼結構的所述防反射部形成在二維地布置的每個像素的所述光電轉換區域的所述光接收表面側的所述界面上,而用于阻擋入射光的所述像素間遮光部形成在所述防反射部的所述界面下方。
根據本發明的第三方面的電子裝置包括如下固態成像器件,述固態成像器件包括具有蛾眼結構的防反射部以及用于阻擋入射光的像素間遮光部,所述防反射部設置在處于二維地布置的每個像素的光電轉換區域的光接收表面側的界面上,且所述像素間遮光部設置在所述防反射部的所述界面下方。
在本發明的第一和第三方面中,具有所述蛾眼結構的所述防反射部設置在二維地布置的每個像素的所述光電轉換區域的所述光接收表面側的所述界面上,而用于阻擋入射光的所述像素間遮光部形成在所述防反射部的所述界面下方。
所述固態成像器件和所述電子裝置可以是單獨的將要內置到另一裝置中的裝置或模塊。
本發明的效果
根據本發明的第一至第三方面,可在抑制混色劣化的同時提高靈敏度。
附圖說明
圖1是圖示了根據本發明的固態成像器件的示意結構的示圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





