[發明專利]固態成像器件及固態成像器件的制造方法

在審

• 申請號: 201910972850.0
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN110660819A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 桝田佳明;宮波勇樹;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳樹;渡邊一史;荻田知治
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H04N5/369;G02B1/118
• 代理公司: 11290 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李晗;曹正建

1.一種固態成像器件，其包括：

半導體基板，具有接收入射光的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；

第一溝槽和第二溝槽，設置在所述半導體基板的所述第一表面中；以及

第一凹入結構和第二凹入結構，設置在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間，并在所述半導體基板的所述第一表面中，所述第一凹入結構和所述第二凹入結構的深度比所述第一溝槽和所述第二溝槽的深度淺，

其中，所述半導體基板的第一平坦部設置在所述第一溝槽和所述第一凹入結構之間，

其中，所述半導體基板的第二平坦部設置在所述第二溝槽和所述第二凹入結構之間，且

其中，所述半導體基板的第三平坦部設置在所述第一凹入結構和所述第二凹入結構之間，所述第三平坦部在剖視圖上與所述第一平坦部和所述第二平坦部平行。

2.如權利要求1所述的固態成像器件，其中，所述半導體基板的第四平坦部設置在所述第二平坦部和所述第三平坦部之間，且其中，所述第四平坦部在所述剖視圖中平行于所述第一平坦部和所述第二平坦部。

3.如權利要求2所述的固態成像器件，其還包括：

第三凹入結構，設置在所述第一表面中，且在所述第三平坦部和第四平坦部之間。

4.如權利要求1所述的固態成像器件，其還包括：

光電轉換區域，設置在所述半導體基板中，并在所述基板中位于所述第一溝槽和所述第二溝槽之間。

5.如權利要求4所述的固態成像器件，其中，所述第一凹入結構和所述第二凹入結構設置在所述光電轉換區域上方。

6.如權利要求1所述的固態成像器件，其還包括：

第一絕緣膜，設置在所述第一平坦部和所述第二平坦部上。

7.如權利要求6所述的固態成像器件，其中，所述第一絕緣膜包含硅。

8.如權利要求6所述的固態成像器件，其中，所述第一絕緣膜包含氧化物。

9.如權利要求6所述的固態成像器件，其中，所述第一絕緣膜包含氧化硅。

10.如權利要求6所述的固態成像器件，其還包括：

第二絕緣膜，設置在所述所述第一絕緣膜與所述第一平坦部、所述第二平坦部之間。

11.如權利要求10所述的固態成像器件，其中，所述第二絕緣膜具有負固定電荷。

12.如權利要求10所述的固態成像器件，其中，所述第二絕緣膜包含氧化物。

13.如權利要求12所述的固態成像器件，其中，所述第二絕緣膜包含氧化鉿或氧化鉭。

14.一種固態成像器件的制造方法，其包括：

在基板的位于所述基板的光入射側的表面中形成第一溝槽和第二溝槽；以及

在所述基板的所述表面中且在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間，形成第一凹入結構和第二凹入結構，其中，所述第一凹入結構和所述第二凹入結構的深度比所述第一溝槽和所述第二溝槽的深度淺，且

其中，形成所述第一凹入結構和所述第二凹入結構的步驟形成所述基板的第一平坦部、第二平坦部和第三平坦部，其中，所述第三平坦部在剖視圖上與所述第一平坦部和所述第二平坦部平行，且其中，所述第一平坦部位于所述第三平坦部和所述第一溝槽之間。

15.如權利要求14所述的方法，其中，形成所述第一溝槽和所述第二溝槽的步驟以及形成所述第一凹入結構和所述第二凹入結構的步驟包括干法刻蝕。

16.如權利要求14所述的方法，其還包括：

在所述第一溝槽和所述第二溝槽中且在所述第一凹入結構和所述第二凹入結構中，形成防反射膜。