[發明專利]電子封裝件及其制法

在審

• 申請號: 201910972580.3
• 申請日: 2019-10-14
• 公開（公告）號: CN112563215A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 張宏達;丁俊彰;陳麒任
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種電子封裝件，其特征在于，包括：

承載結構；

第一電子元件與第二電子元件，其間隔設置于該承載結構上，以令該第一電子元件與該第二電子元件之間形成有一間隙；

填充材，其形成于該間隙中以作為間隔部，且該間隔部具有凹槽；以及

作用層，其形成于該凹槽中。

2.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該第一電子元件及第二電子元件電性連接該承載結構。

3.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該第一電子元件與該第二電子元件為相同或不同類型。

4.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該第一電子元件與該第二電子元件的上表面齊平該作用層的上表面。

5.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該第一電子元件與該第二電子元件的上表面齊平該間隔部的上表面。

6.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該凹槽的寬度由槽口至槽底呈一致。

7.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該凹槽的寬度由槽口至槽底不一致。

8.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該填充材還形成于該承載結構與該第一電子元件之間及該承載結構與該第二電子元件之間。

9.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該作用層的楊氏系數小于該填充材的楊氏系數。

10.根據權利要求1所述的電子封裝件，其特征在于，該凹槽的側壁延伸至該第一電子元件及/或第二電子元件。

11.一種電子封裝件的制法，其特征在于，包括：

將第一電子元件與第二電子元件間隔設置于承載結構上，且該第一電子元件與該第二電子元件之間形成有一間隙；

形成填充材于該間隙中，以令該填充材作為間隔部，且令該間隔部形成有凹槽；以及

形成作用層于該凹槽中。

12.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該第一電子元件及第二電子元件電性連接該承載結構。

13.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該第一電子元件與該第二電子元件為相同或不同類型。

14.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該第一電子元件與該第二電子元件的上表面齊平該作用層的上表面。

15.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該第一電子元件與該第二電子元件的上表面齊平該間隔部的上表面。

16.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該凹槽的寬度由槽口至槽底呈一致。

17.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該凹槽的寬度由槽口至槽底不一致。

18.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該填充材還形成于該承載結構與該第一電子元件之間及該承載結構與該第二電子元件之間。

19.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該作用層的楊氏系數小于該填充材的楊氏系數。

20.根據權利要求11所述的電子封裝件的制法，其特征在于，該凹槽的側壁延伸至該第一電子元件及/或第二電子元件。