[發(fā)明專利]光阻檢測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910970682.1
• 申請日: 2019-10-12
• 公開（公告）號: CN110687747A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋箭葉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/84
• 分類號: G03F1/84;H01L21/027;H01L21/66
• 代理公司: 31237 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 曹廷廷

1.一種光阻檢測方法，其特征在于，所述光阻檢測方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上涂布光阻；

通過無圖形掩膜板對所述光阻執(zhí)行曝光和顯影工藝；

去除所述光阻；

對所述半導(dǎo)體襯底進行缺陷檢測，得到所述半導(dǎo)體襯底中的缺陷數(shù)量；

將所述缺陷數(shù)量與一閾值進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果得到所述光阻的質(zhì)量；以及，

對所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行清洗工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的光阻檢測方法，其特征在于，對所述半導(dǎo)體襯底進行缺陷檢測包括：利用光學(xué)檢測設(shè)備收集所述半導(dǎo)體襯底表面的散射光，通過分析所述散射光確定所述半導(dǎo)體襯底中的缺陷數(shù)量。

3.如權(quán)利要求1所述的光阻檢測方法，其特征在于，將所述缺陷數(shù)量與一閾值進行比較，并根據(jù)比較結(jié)果得到所述光阻的質(zhì)量包括：

判斷所述缺陷數(shù)量是否在所述閾值范圍內(nèi)，若是，則判定所述光阻的質(zhì)量為合格；若否，則判定所述光阻的質(zhì)量為異常；

其中，所述閾值的范圍為0-10。

4.如權(quán)利要求3所述的光阻檢測方法，其特征在于，所述閾值的范圍通過工藝參數(shù)的實驗數(shù)據(jù)得出。

5.如權(quán)利要求1所述的光阻檢測方法，其特征在于，所述光阻檢測方法用于在光刻設(shè)備更換光阻之后進行。

6.如權(quán)利要求1所述的光阻檢測方法，其特征在于，所述清洗工藝為濕法清洗。

7.如權(quán)利要求1所述的光阻檢測方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為初次使用的半導(dǎo)體襯底或者為經(jīng)過循環(huán)利用的半導(dǎo)體襯底。

8.如權(quán)利要求1所述的光阻檢測方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底的材質(zhì)為硅。

9.如權(quán)利要求1所述的光阻檢測方法，其特征在于，利用待檢測的光阻對所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行涂布光阻的工藝。

10.如權(quán)利要求1所述的光阻檢測方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有氧化硅層，涂布光阻的工藝在所述氧化硅層上執(zhí)行。