[發明專利]光阻檢測方法

在審

• 申請號: 201910970682.1
• 申請日: 2019-10-12
• 公開（公告）號: CN110687747A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 宋箭葉
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/84
• 分類號: G03F1/84;H01L21/027;H01L21/66
• 代理公司: 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供了一種光阻檢測方法，所述光阻檢測方法包括：提供半導體襯底，在所述半導體襯底上執行涂光阻工藝；通過無圖形掩膜板對所述光阻執行曝光和顯影工藝；去除所述光阻；對所述半導體襯底進行缺陷檢測，得到所述半導體襯底中的缺陷數量；通過無圖形掩膜板對所述光阻的曝光和顯影，能夠避免圖形掩膜板對后續缺陷檢測工藝的影響，在后續的缺陷檢測工藝中，能夠檢測出光阻在曝光顯影工藝中的缺陷，從而光阻的質量能夠得到全面的檢測。由此，能夠盡早的發現半導體襯底在加工工藝中的缺陷問題，提高后續工藝的良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種光阻檢測方法。

背景技術

在半導體器件制造中，光刻工藝是制作半導體器件和集成電路為圖形結構的關鍵性工藝，其工藝質量直接影響著器件的成品率、可靠性、器件性能以及使用壽命等參數指標的穩定和提高。而造成影響這些性能參數的最直接、最重要的因素之一就是在整個光刻工藝中引入的各種缺陷。隨著微電子加工工藝技術的不斷發展，工藝設備的更新和工藝環境的改善，已經使現在的光刻工藝體質有了質的飛躍。但是由于其工藝過程和內容的特殊性，同時器件的掩模板圖形越來越復雜，圖形面積越做越大，線條要求越來越細，器件性能和精度要求越來越高，就目前的工藝條件來說，整個光刻工藝流程并不能擺脫或者完全擺脫人工的參與，同時還有工藝設備的穩定性、工藝原材料的影響等因素依然存在。

光阻一般為感光的有機物，在制造過程和運輸過程中會產生一些雜質，這些雜質在顯影或去光阻的過程中形成缺陷，從而影響工藝制造，造成良率損失。在光刻工藝中，光阻是形成圖形不可或缺的介質，因此光阻的質量直接影響產品的質量。光刻機通過掩模板將圖形透射到光阻上時，光阻和光反應發生性質變化，通過顯影液去除反應或未反應區域形成圖形。但是在現有技術對光阻質量的檢測僅能檢測光阻再取出過程中殘留的缺陷，而無法檢測光阻在光刻工藝過程中對產品的影響。

如圖1所示，圖1為光刻工藝后在所述半導體襯底表面上形成的缺陷圖，其中10為半導體襯底。現有技術無法檢測到光阻在曝光以及顯影工藝后的缺陷，由此光阻在顯影后在顯影區域形成了殘留，影響后續的工藝而形成了殘渣殘留，最后由實驗驗證，該缺陷與光阻質量有關。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光阻檢測方法，以解決光阻在加工工藝后的質量缺陷無法檢測的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種光阻檢測方法，所述光阻檢測方法包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上涂布光阻；

通過無圖形掩膜板對所述光阻執行曝光和顯影工藝；

去除所述光阻；

對所述半導體襯底進行缺陷檢測，得到所述半導體襯底中的缺陷數量；

將所述缺陷數量與一閾值進行比較，并根據比較結果得到所述光阻的質量；以及

對所述半導體襯底執行清洗工藝。

可選的，在所述的光阻檢測方法中，對所述半導體襯底進行缺陷檢測包括：利用光學檢測設備收集所述半導體襯底表面的散射光，通過分析所述散射光確定所述半導體襯底中的缺陷數量。

可選的，在所述的光阻檢測方法中，將所述缺陷數量與一閾值進行比較，并根據比較結果得到所述光阻的質量包括：

判斷所述缺陷數量是否在所述閾值范圍內，若是，則判定所述光阻的質量為合格；若否，則判定所述光阻的質量為異常；

其中，所述閾值的范圍為0-10。

可選的，在所述的光阻檢測方法中，所述閾值的范圍通過工藝參數的實驗數據得出。

可選的，在所述的光阻檢測方法中，所述光阻檢測方法用于在光刻設備更換光阻之后進行。