[發明專利]半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201910967723.1
• 申請日: 2019-10-12
• 公開（公告）號: CN110690164A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 張春艷;孫鵬;李恒甫;包焓;曹立強
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 張靜

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一具有TSV結構的半導體襯底，所述半導體襯底具有相對的第一表面和第二表面，所述TSV結構包括：位于所述第一表面的盲孔，所述盲孔的側壁以及底面具有第一絕緣介質層；填充所述盲孔的導電柱；

對所述第二表面進行減薄處理后，對所述第二表面進行化學機械研磨處理，露出所述導電柱；

經過所述化學機械研磨處理后，在所述第二表面形成圖形化的第二絕緣介質層，所述第二絕緣介質層露出所述導電柱。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，將所述第一表面與鍵合載片鍵合固定后，對所述第二表面進行減薄處理。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成圖形化的所述第二絕緣介質層后，還包括：

將所述半導體襯底與所述鍵合載片進行分離。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成圖形化的所述第二絕緣介質層的方法包括：

經過所述減薄處理后，形成覆蓋所述第二表面以及所述導電柱的所述第二絕緣介質層；

去除所述第二絕緣介質層覆蓋所述導電柱的部分，形成圖形化的所述第二絕緣介質層。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣介質層的為采用涂布方法形成在所述第二表面的感光有機絕緣層；

通過曝光工藝對所述第二絕緣介質層進行圖形化處理，以去除所述第二絕緣介質層覆蓋所述導電柱的部分。

6.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣介質層為采用沉積方法形成在所述第二表面的無機介質層；

通過刻蝕工藝對所述第二絕緣介質層進行圖形化處理，以去除所述第二絕緣介質層覆蓋所述導電柱的部分。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，通過沉積方法，在所述第二表面形成一層所述無機介質層或多層層疊的所述無機介質層。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底的制作方法包括：

在所述第一表面形成盲孔；

在所述盲孔的側壁以及底部沉積所述第一絕緣介質層；

在表面覆蓋有所述第一絕緣介質層的所述盲孔內形成所述導電柱。

9.根據權利要求1-8任一項所述的制作方法，其特征在于，所述盲孔的孔徑不小于10μm。

10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件采用如權利要求1-9任一項所述的制作方法制備。