[發(fā)明專(zhuān)利]一種檢測(cè)IC的PAD腳是否焊接良好的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910967111.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110849883A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市海德智慧科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N21/88 | 分類(lèi)號(hào): | G01N21/88;G01R31/28;G06T7/00 |
| 代理公司: | 北京棘龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11740 | 代理人: | 謝靜 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 檢測(cè) ic pad 是否 焊接 良好 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種檢測(cè)IC的PAD腳是否焊接良好的方法,包括在焊盤(pán)的中心點(diǎn)處設(shè)置第一探測(cè)點(diǎn),且探測(cè)點(diǎn)設(shè)置于焊盤(pán)的底部,在焊盤(pán)上設(shè)置分別設(shè)置第二探測(cè)點(diǎn)、第三探測(cè)點(diǎn)和第四探測(cè)點(diǎn),且第二探測(cè)點(diǎn)、第三探測(cè)點(diǎn)和第四探測(cè)點(diǎn)分別設(shè)置于焊盤(pán)的底部,在進(jìn)行PAD腳檢測(cè)時(shí),使用的時(shí)候通過(guò)PCB走線,將第二探測(cè)點(diǎn)、第三探測(cè)點(diǎn)和第四探測(cè)點(diǎn)引出到焊盤(pán)的外側(cè),且增加測(cè)試點(diǎn),利用檢測(cè)裝置對(duì)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明通過(guò)設(shè)置探測(cè)點(diǎn)可以進(jìn)行更好的檢測(cè),設(shè)有的探測(cè)點(diǎn)還可以通過(guò)PCB走線,將探測(cè)點(diǎn)引出到外面并增加測(cè)試點(diǎn),在進(jìn)行檢測(cè)時(shí),不會(huì)損傷焊盤(pán),檢測(cè)效率高且檢測(cè)準(zhǔn)確。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及IC的PAD腳檢測(cè)領(lǐng)域,特別涉及一種檢測(cè)IC的PAD腳是否焊接良好的方法。
背景技術(shù)
焊盤(pán)是一種表面貼裝裝配的基本構(gòu)成單元,用來(lái)構(gòu)成電路板的焊盤(pán)圖案,即各種為特殊元件類(lèi)型設(shè)計(jì)的焊盤(pán)組合,在進(jìn)行焊盤(pán)的使用時(shí),我們需要檢測(cè)檢測(cè)IC的PAD腳是否焊接良好,現(xiàn)有的加工工藝導(dǎo)致我們無(wú)法直觀的從外部進(jìn)行檢測(cè)焊接是否良好,這就導(dǎo)致我們?cè)谶M(jìn)行使用焊盤(pán)時(shí),會(huì)給產(chǎn)品帶來(lái)很多的問(wèn)題,同時(shí)也給檢測(cè)帶來(lái)了巨大的難度,產(chǎn)品的良品率也大大的降低,無(wú)法得到很好的經(jīng)濟(jì)效益。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種檢測(cè)IC的PAD腳是否焊接良好的方法,以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種檢測(cè)IC的PAD腳是否焊接良好的方法,包括以下步驟:
S1:在焊盤(pán)的中心點(diǎn)處設(shè)置第一探測(cè)點(diǎn),且探測(cè)點(diǎn)設(shè)置于焊盤(pán)的底部;
S2:在焊盤(pán)上設(shè)置分別設(shè)置第二探測(cè)點(diǎn)、第三探測(cè)點(diǎn)和第四探測(cè)點(diǎn),且第二探測(cè)點(diǎn)、第三探測(cè)點(diǎn)和第四探測(cè)點(diǎn)分別設(shè)置于焊盤(pán)的底部;
S3:在進(jìn)行PAD腳檢測(cè)時(shí),使用的時(shí)候通過(guò)PCB走線,將第二探測(cè)點(diǎn)、第三探測(cè)點(diǎn)和第四探測(cè)點(diǎn)引出到焊盤(pán)的外側(cè),且增加測(cè)試點(diǎn);
S4:利用檢測(cè)裝置對(duì)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)。
優(yōu)選的,第二探測(cè)點(diǎn)、第三探測(cè)點(diǎn)和第四探測(cè)點(diǎn)距離焊盤(pán)的距離大于5mm。
優(yōu)選的,檢測(cè)裝置包括測(cè)試模塊、MCU模塊和計(jì)算機(jī)。
優(yōu)選的,測(cè)試模塊通過(guò)MCU模塊與計(jì)算機(jī)電性連接。
優(yōu)選的,測(cè)試模塊包括測(cè)試電路模塊和圖像采集模塊,測(cè)試電路模塊用于測(cè)試焊盤(pán)的正確安裝,圖像采集模塊用于采集焊盤(pán)的圖像。
優(yōu)選的,圖像采集模塊采集的圖像處理步驟包括:
S1:獲取圖像,對(duì)圖像進(jìn)行處理,將圖像縮放,且多個(gè)圖像保持尺寸相同;
S2:訓(xùn)練圖像庫(kù),將訓(xùn)練的圖像數(shù)據(jù)歸一化到[0,1]區(qū)間;
S3:構(gòu)建殘差網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),且同時(shí)配置相關(guān)參數(shù),分類(lèi)別進(jìn)行圖像標(biāo)號(hào);
S4:訓(xùn)練網(wǎng)絡(luò)模型,進(jìn)行分類(lèi)結(jié)構(gòu)的預(yù)測(cè),最后輸出分類(lèi)結(jié)構(gòu),對(duì)不合格焊盤(pán)進(jìn)行識(shí)別。
優(yōu)選的,測(cè)試電路模塊的輸入端可分別與第一探測(cè)點(diǎn)、第二探測(cè)點(diǎn)、第三探測(cè)點(diǎn)和第四探測(cè)點(diǎn)連接,探測(cè)電路模塊的的輸出端與MCU模塊的輸入端連接,MCU模塊的輸出端與計(jì)算機(jī)的輸入端連接。
優(yōu)選的,MCU模塊的輸入端可設(shè)置為多個(gè),探測(cè)電路模塊的輸入端可設(shè)置為多個(gè)。
本發(fā)明的技術(shù)效果和優(yōu)點(diǎn):通過(guò)設(shè)置探測(cè)點(diǎn)可以進(jìn)行更好的檢測(cè),設(shè)有的探測(cè)點(diǎn)還可以通過(guò)PCB走線,將探測(cè)點(diǎn)引出到外面并增加測(cè)試點(diǎn),在進(jìn)行檢測(cè)時(shí),不會(huì)損傷焊盤(pán),檢測(cè)效率高且檢測(cè)準(zhǔn)確。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明焊盤(pán)結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖2為本發(fā)明焊盤(pán)結(jié)構(gòu)示意圖之二。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專(zhuān)用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
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