[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件

在審

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• 申請日: 2019-10-11
• 公開（公告）號: CN111048476A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞裁旭
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/24
• 分類號: H01L23/24;H01L25/18
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

提供了一種半導(dǎo)體封裝件。該半導(dǎo)體封裝件包括：包括第一襯底和第一半導(dǎo)體芯片的第一封裝件；設(shè)置在該第一封裝件上的第二封裝件，該第二封裝件包括第二襯底和第二半導(dǎo)體芯片；設(shè)置在該第一封裝件和該第二封裝件之間的第一焊球和支撐層；和設(shè)置在該第一封裝件與該第二封裝件之間的擋墻，該擋墻與該支撐層的側(cè)壁接觸，該擋墻完全圍繞該支撐層的側(cè)壁。

本申請要求于2018年10月11日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2018-0121003的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部公開內(nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

隨著電子工業(yè)的發(fā)展，對電子元件的高性能、快速操作和小型化的要求有所增加。響應(yīng)于這些要求，可以使用用于在一個封裝襯底上堆疊和填充若干半導(dǎo)體芯片的方法或用于在封裝件上堆疊另一封裝件的方法。例如，可以使用內(nèi)嵌封裝件(PIP)型半導(dǎo)體封裝件或者層疊封裝件(POP)型半導(dǎo)體封裝件。

發(fā)明內(nèi)容

本公開要實(shí)現(xiàn)的目的是提供一種半導(dǎo)體封裝件，其具有設(shè)置在上封裝件和下封裝件之間的支撐層，以及設(shè)置為圍繞該支撐層的側(cè)壁的擋墻，從而增強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

根據(jù)示例性實(shí)施例，本公開涉及一種半導(dǎo)體封裝件，包括：包括第一襯底和第一半導(dǎo)體芯片的第一封裝件；設(shè)置在該第一封裝件上的第二封裝件，該第二封裝件包括第二襯底和第二半導(dǎo)體芯片；設(shè)置在該第一封裝件和該第二封裝件之間的第一焊球和支撐層；和設(shè)置在該第一封裝件與該第二封裝件之間的擋墻，該擋墻與該支撐層的側(cè)壁接觸，其中當(dāng)從平面圖中看時，該擋墻完全圍繞該支撐層。

根據(jù)示例性實(shí)施例，本公開涉及一種半導(dǎo)體封裝件，包括：包括第一半導(dǎo)體芯片的第一封裝件；設(shè)置在該第一封裝件上的襯底；設(shè)置在該襯底上的第二封裝件，該第二封裝件包括第二半導(dǎo)體芯片；設(shè)置在該襯底和該第二封裝件之間的支撐層；和設(shè)置在該襯底與該第二封裝件之間的擋墻，該擋墻與該支撐層的側(cè)壁接觸，并且該擋墻包括非導(dǎo)電材料，其中當(dāng)從平面圖中看時，該擋墻完全圍繞該支撐層。

根據(jù)示例性實(shí)施例，本公開涉及一種半導(dǎo)體封裝件，包括：包括第一襯底和設(shè)置在該第一襯底上的第一半導(dǎo)體芯片的第一封裝件；設(shè)置在該第一封裝件上的第二襯底；設(shè)置在該第二襯底上的支撐層，該支撐層的寬度窄于該第一封裝件的寬度；設(shè)置在該第二襯底上的擋墻，該擋墻與該支撐層的側(cè)壁接觸，并且當(dāng)從平面圖中看時，該擋墻完全圍繞該支撐層；和設(shè)置在該第二襯底上的焊球，并且該焊球與該擋墻間隔開。

本公開旨在解決的目的不限于上述目的，并且基于下面提供的描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以清楚地理解上面未提及的其他目的。

附圖說明

通過參考附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施例，本公開的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得更加顯而易見，在附圖中：

圖1是用于說明根據(jù)一些示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的俯視圖；

圖2是沿圖1中的線A-A截取的截面圖；

圖3是用于說明根據(jù)一些其他示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的俯視圖；

圖4是沿圖3中的線B-B截取的截面圖；

圖5是用于說明根據(jù)一些其他示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的俯視圖；

圖6是沿圖5中的線C-C截取的截面圖；

圖7是用于說明根據(jù)一些其他示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的俯視圖；

圖8是沿圖7中的線D-D截取的截面圖；

圖9是用于說明根據(jù)一些其他示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的俯視圖；和

圖10是沿圖9中的線E-E截取的截面圖。

具體實(shí)施方式