[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910962283.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-10-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111048476A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 俞裁旭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/24 | 分類號(hào)： | H01L23/24;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 趙南;張青 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：
第一封裝件，其包括第一襯底和第一半導(dǎo)體芯片；
第二封裝件，其設(shè)置在所述第一封裝件上，所述第二封裝件包括第二襯底和第二半導(dǎo)體芯片；
第一焊球和支撐層，所述第一焊球和所述支撐層設(shè)置在所述第一封裝件和所述第二封裝件之間；和
擋墻，其設(shè)置在所述第一封裝件與所述第二封裝件之間，所述擋墻與所述支撐層的側(cè)壁接觸，
其中，當(dāng)從平面圖中看時(shí)，所述擋墻完全圍繞所述支撐層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括：
第三襯底，其設(shè)置在所述第一封裝件和所述支撐層之間，
其中，所述第一半導(dǎo)體芯片設(shè)置為被掩埋在所述第一襯底中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括：
模制層，其設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第三襯底之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括：
插入器，其設(shè)置在所述第一封裝件和所述支撐層之間；和
第二焊球，其設(shè)置在所述第一襯底和所述插入器之間，以電連接在所述第一襯底與所述插入器之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述擋墻設(shè)置在所述第一焊球和所述支撐層之間，并且所述擋墻與所述第一焊球間隔開(kāi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第一焊球設(shè)置在所述支撐層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述擋墻包括沿著所述支撐層的外側(cè)壁設(shè)置的第一擋墻，和沿著所述支撐層的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置的第二擋墻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述支撐層包括多個(gè)子支撐層，所述多個(gè)子支撐層在第一方向和與所述第一方向垂直的第二方向上彼此間隔開(kāi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述支撐層的寬度窄于所述第一封裝件的寬度和所述第二封裝件的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述擋墻包括非導(dǎo)電材料，并且所述支撐層包括導(dǎo)電材料。
11.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：
第一封裝件，其包括第一半導(dǎo)體芯片；
襯底，其設(shè)置在所述第一封裝件上；
第二封裝件，其設(shè)置在所述襯底上，所述第二封裝件包括第二半導(dǎo)體芯片；
支撐層，其設(shè)置在所述襯底和所述第二封裝件之間；和
擋墻，其設(shè)置在所述襯底和所述第二封裝件之間，所述擋墻與所述支撐層的側(cè)壁接觸，并且所述擋墻包括非導(dǎo)電材料，
其中，當(dāng)從平面圖中看時(shí)，所述擋墻完全圍繞所述支撐層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括：
焊球，其設(shè)置在所述襯底和所述第二封裝件之間，
其中，所述擋墻設(shè)置在所述焊球和所述支撐層之間，并且所述擋墻與所述焊球間隔開(kāi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括：
焊球，其設(shè)置在所述襯底和所述第二封裝件之間，
其中，所述焊球設(shè)置在所述支撐層中。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述擋墻包括沿著所述支撐層的外側(cè)壁設(shè)置的第一擋墻，和沿著所述支撐層的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置在第二擋墻。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述支撐層的高度與所述擋墻的高度相同。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述支撐層包括非導(dǎo)電材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星電子株式會(huì)社，未經(jīng)三星電子株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910962283.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：位置檢測(cè)單元
- 下一篇：線圈單元
