[發(fā)明專利]一種用于提高LDO負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910961949.0
• 申請日: 2019-10-11
• 公開（公告）號: CN110888480B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊紅偉;吳建剛
• 申請（專利權(quán)）人: 思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 陳忠輝

1.一種用于提高LDO負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的電路，LDO供電MOS管MPP的柵極接設(shè)有主控環(huán)路，所述主控環(huán)路設(shè)有MOS管MN1和放大器AMP1，其中MOS管MN1的源極接地、漏極與MOS管MPP的柵極相接、柵極與放大器AMP1的輸出相接，放大器AMP1的一個(gè)輸入端接參考電壓VREF、另一個(gè)輸入端接負(fù)載反饋電壓VFB，所述LDO的MOS管MPP的源極與輸入電壓VIN相接，MOS管MPP的漏極為輸出電壓VOUT并與負(fù)載相接，其特征在于：所述LDO接設(shè)有一并接入MOS管MPP柵極的輔助響應(yīng)電路，所述輔助響應(yīng)電路設(shè)有MOS管MN2和放大器AMP2，其中MOS管MN2的源極接地、漏極與MOS管MPP的柵極相接、柵極與放大器AMP2的輸出相接，放大器AMP2的一個(gè)輸入端接參考電壓VREF、另一個(gè)輸入端通過失調(diào)電壓Vos與負(fù)載反饋電壓VFB相接。