[發明專利]一種溝槽柵型IGBT結構在審
| 申請號： | 201910959594.1 | 申請日： | 2019-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN112652657A | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 金銳;李立;和峰;趙哿;王耀華;劉江;高明超;吳軍民;潘艷;白鷺;李冠良 | 申請（專利權）人： | 全球能源互聯網研究院有限公司;國網山西省電力公司電力科學研究院;國家電網有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溝槽 igbt 結構 | ||
1.一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述IGBT結構包括：N型參雜發射區(11)、所述P型摻雜深結區(10)、多晶硅假柵極結構(7)；
所述多晶硅假柵極結構(7)與所述N型參雜發射區(11)相連，且所述多晶硅假柵極結構(7)的底部插入所述P型摻雜深結區(10)。
2.如權利要求1所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述IGBT結構還包括正面金屬電極(12)；
所述多晶硅假柵極結構(7)為“T”形，所述“T”形的“一”部通過正面金屬電極(12)與所述N型參雜發射區(11)相連，“T”形的“丨”部插入所述P型摻雜深結區(10)。
3.如權利要求2所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述IGBT結構還包括：多晶硅溝槽柵極結構(6)，所述多晶硅溝槽柵極結構(6)為倒“L”型，所述倒“L”型的“丨”設置于所述P型摻雜深結區(10)和所述N型參雜發射區(11)之間；
所述多晶硅溝槽柵極結構(6)的“一”部與外界電極(13)相連。
4.如權利要求3所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述IGBT結構還包括柵氧化層(5)；
所述多晶硅假柵極結構(7)和所述P型摻雜深結區(10)之間設有所述柵氧化層(5)；
所述多晶硅溝槽柵極結構(6)的倒“L”型的“丨”被所述柵氧化層(5)包裹，使所述多晶硅溝槽柵極結構(6)與所述P型摻雜深結區(10)和所述N型參雜發射區(11)隔離。
5.如權利要求3所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述IGBT結構還包括：隔離氧化層(8)；
所述隔離氧化層(8)設置在同一水平面上的所述多晶硅溝槽柵極結構(6)和所述多晶硅假柵極結構(7)上，形狀為“F”形，“F”形的開口沖下，形狀適應并隔離所述多晶硅溝槽柵極結構(6)和所述多晶硅假柵極結構(7)。
6.如權利要求5所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述多晶硅溝槽柵極結構(6)的倒“L”型的兩邊連接處外端設有長方形凹陷，凹陷適應于所述隔離氧化層(8)的前端底部。
7.如權利要求3所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述外界電極(13)設置在所述IGBT結構的終端。
8.如權利要求5所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述IGBT結構還包括：P型摻雜阱區(9)；
所述P型摻雜阱區(9)設置在所述N型參雜發射區(11)左下端。
9.如權利要求1所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述IGBT結構還包括：背面金屬電極(4)、集電區P型摻雜區(3)、緩沖層(2)和N型漂移區(1)；
所述N型漂移區(1)的一端連所述P型摻雜深結區(10)，另一端還依次連接所述緩沖層(2)、集電區P型摻雜區(3)和背面金屬電極(4)。
10.如權利要求3所述的一種溝槽柵型IGBT結構，其特征在于，所述多晶硅溝槽柵極結構(6)和所述多晶硅假柵極結構(7)為同一材質。
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