[發(fā)明專利]殼體及其制備方法和電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910957479.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110708406B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊自美 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04M1/02 | 分類號(hào): | H04M1/02;H01Q1/22;H01Q15/00 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 歐淑麗 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 殼體 及其 制備 方法 電子設(shè)備 | ||
本發(fā)明涉及一種殼體及其制備方法和電子設(shè)備。殼體包括基材和透波模組,透波模組設(shè)置在基材上,透波模組具有頻率選擇表面,頻率選擇表面能夠透過(guò)頻率為24.25GHz~52.6GHz的毫米波,且頻率選擇表面的方阻小于1Ω/□。上述殼體夠增強(qiáng)毫米波天線的輻射性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種殼體及其制備方法和電子設(shè)備。
背景技術(shù)
根據(jù)3GPP TS 38.101協(xié)議的規(guī)定,5G NR主要使用兩段頻率:FR1頻段和FR2頻段。FR1頻段的頻率范圍是450MHz~6GHz,又稱為sub-6GHz頻段;FR2頻段的頻率范圍是24.25GHz~52.6GHz,通常被稱為毫米波(mm Wave)。毫米波具有高載頻、大帶寬等特性,為高速傳輸提供了保障。目前高通已經(jīng)發(fā)布了兩款毫米波天線模組QTM052和QTM525模組,其中QTM052模組覆蓋3GPP n261和n260 band,QTM525模組覆蓋3GPP n258和n261 band。
但是,現(xiàn)有的毫米波天線模組一般僅適用于自由空間環(huán)境,如果直接放置于電子設(shè)備整機(jī)中,由于設(shè)備殼體的覆蓋效應(yīng),致使毫米波信號(hào)難以透過(guò),影響毫米波天線的輻射性能,引起天線效率下降等問(wèn)題,無(wú)法滿足實(shí)際需求。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種能夠增強(qiáng)毫米波天線的輻射性能的殼體及其制備方法。
一種殼體,包括:
基材;及
透波模組,設(shè)置在所述基材上,所述透波模組具有頻率選擇表面,所述頻率選擇表面能夠透過(guò)頻率為24.25GHz~52.6GHz的毫米波,且所述頻率選擇表面的方阻小于1Ω/□。
上述殼體通過(guò)在基材上設(shè)置透波模組,透波模組的頻率選擇表面能夠透過(guò)頻率為24.25GHz~52.6GHz的毫米波,以能夠?qū)﹄姶挪óa(chǎn)生特殊的頻率選擇性,并且頻率選擇表面的方阻小于1Ω/□,使殼體對(duì)上述毫米波頻段呈現(xiàn)高效的透波特性,以顯著降低殼體的覆蓋效應(yīng)對(duì)毫米波天線模組輻射性能的影響,增強(qiáng)毫米波天線模組的輻射性能。
還提供一種殼體的制備方法,包括如下步驟:
在基材上設(shè)置透波模組,得到殼體,其中,所述透波模組具有頻率選擇表面,所述頻率選擇表面能夠透過(guò)頻率為24.25GHz~52.6GHz的毫米波,且所述頻率選擇表面的方阻小于1Ω/□。
上述殼體的制備方法,操作簡(jiǎn)單,并通過(guò)在基材上設(shè)置具有特定結(jié)構(gòu)的透波模組,能夠制備得到增強(qiáng)毫米波天線模組的輻射性能的殼體。
還提供一種電子設(shè)備,包括:
上述殼體;
顯示模組,與所述殼體連接,并與所述殼體共同圍設(shè)成容置腔;
毫米波天線模組,設(shè)置在所述容置腔內(nèi)并被所述殼體覆蓋;及
控制模組,設(shè)置在所述容置腔內(nèi)。
上述電子設(shè)備采用了具有透波模組的殼體,使其對(duì)毫米波天線模組的覆蓋效應(yīng)最小化,有利于5G信號(hào)的無(wú)損傳輸,保證通信效果。
附圖說(shuō)明
圖1為第一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1所示的電子設(shè)備的殼體的剖視圖;
圖3為圖1所示的電子設(shè)備的殼體的剖視圖;
圖4至圖12為頻率選擇表面中結(jié)構(gòu)單元的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖13至圖15為頻率選擇表面中結(jié)構(gòu)單元的陣列方式示意圖;
圖16為第二實(shí)施方式的殼體的剖視圖;
圖17為圖16所示的殼體的剖視圖;
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