[發(fā)明專利]智能功率模塊、智能功率模塊的制作設(shè)備及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910957324.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110634854A | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 嚴(yán)允健;馮宇翔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東美的制冷設(shè)備有限公司;美的集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/16 | 分類號(hào): | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/67;H01L21/48 |
| 代理公司: | 44287 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 陳文斌 |
| 地址: | 528311 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 安裝位 功率模塊 智能功率模塊 安裝基板 散熱片 逆變功率模塊 電路布線層 功率開關(guān)管 二極管 驅(qū)動(dòng)芯片 大功率器件 表面設(shè)置 制作設(shè)備 電連接 高集成 小空間 散熱 貼裝 | ||
本發(fā)明公開一種智能功率模塊、智能功率模塊的制作設(shè)備及方法,該智能功率模塊包括:安裝基板,安裝基板的一側(cè)表面設(shè)置有電路布線層,電路布線層包括第一安裝位、第二安裝位和第三安裝位;逆變功率模塊,安裝于安裝基板的第一安裝位上;PFC功率模塊,PFC功率模塊包括散熱片、PFC功率開關(guān)管及PFC二極管,散熱片設(shè)置于第二安裝位上,PFC功率開關(guān)管及PFC二極管貼裝于散熱片上;驅(qū)動(dòng)芯片,安裝于第三安裝位上,驅(qū)動(dòng)芯片分別與逆變功率模塊和PFC功率模塊電連接。本發(fā)明解決了智功率模塊小空間高集成的設(shè)計(jì)中,大功率器件散熱不及時(shí)的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種智能功率模塊、智能功率模塊的制作設(shè)備及方法。
背景技術(shù)
智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)是一種將電力電子和集成電路技術(shù)結(jié)合的功率驅(qū)動(dòng)類產(chǎn)品。智能功率模塊把功率開關(guān)器件和高壓驅(qū)動(dòng)電路集成在一起,并內(nèi)藏有過電壓、過電流和過熱等故障檢測(cè)電路。智能功率模塊的工作電流較大且溫度較高,在高溫的狀態(tài)下,會(huì)使所述智能功率模塊內(nèi)部溫度升高,若不及時(shí)散熱,則容易損壞集成于內(nèi)部的器件。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提出一種智能功率模塊、智能功率模塊的制作設(shè)備及方法,旨在智功率模塊小空間高集成,且大功率散熱不及時(shí),或者散熱效果較差的問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出一種智能功率模塊,所述智能功率模塊包括:
安裝基板,所述安裝基板的一側(cè)表面設(shè)置有電路布線層,所述電路布線層包括第一安裝位、第二安裝位和第三安裝位;
逆變功率模塊,安裝于所述安裝基板的第一安裝位上;
PFC功率模塊,所述PFC功率模塊包括散熱片、PFC功率開關(guān)管及PFC二極管,所述散熱片設(shè)置于所述第二安裝位上,所述PFC功率開關(guān)管及PFC二極管貼裝于所述散熱片上;
驅(qū)動(dòng)芯片,安裝于所述第三安裝位上,所述驅(qū)動(dòng)芯片分別與所述逆變功率模塊和所述PFC功率模塊電連接。
可選地,所述PFC功率開關(guān)管為IGBT;
所述PFC功率模塊還包括快速恢復(fù)二極管,所述快速恢復(fù)二極管設(shè)置貼裝于所述散熱片上;
所述快速恢復(fù)二極管和所述IGBT的反并聯(lián)連接。
可選地,所述散熱片包括銅基板及包覆于所述銅基板表面的銀鍍層。
可選地,所述散熱片的厚度與流經(jīng)所述PFC功率模塊的電流大小呈正相關(guān);
和/或,所述散熱片的尺寸與流經(jīng)所述PFC功率模塊的電流大小呈正相關(guān)。
可選地,所述散熱片包括第一散熱片和第二散熱片,所述PFC功率開關(guān)管設(shè)置于所述第一散熱片上,所述PFC二極管設(shè)置于所述第二散熱片上。
可選地,所述散熱片上還涂覆有焊接材料,所述焊接材料用于與所述PFC功率開關(guān)管和所述PFC二極管管進(jìn)行共晶焊接。
可選地,所述智能功率模塊還包括封裝殼體,所述逆變功率模塊、驅(qū)動(dòng)芯片、PFC功率模塊及安裝基板封裝于所述封裝殼體內(nèi)。
本發(fā)明還提出一種智能功率模塊的制作方法,所述智能功率模塊的制作方法包括以下步驟:
準(zhǔn)備散熱片及PFC功率模塊晶圓,所述PFC功率模塊晶圓包括PFC功率開關(guān)管芯片及PFC二極管芯片;
將所述散熱片放置于芯片載具上,采用焊錫絲對(duì)散熱片的一側(cè)表面畫錫;
將所述PFC功率模塊晶圓放置于所述散熱片表面的目標(biāo)位置上;
將所述PFC功率模塊晶圓與散熱片進(jìn)行壓合固晶。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





