[發明專利]晶片的生成方法

有效

• 申請號: 201910957194.7
• 申請日: 2016-03-17
• 公開（公告）號: CN110712306B
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 平田和也
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B23K26/53;B24B37/04;B24B37/10;B24B1/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

晶片的生成方法，抑制磨削磨具的消耗量并縮短磨削時間。晶片的生成方法從具有第一端面以及位于該第一端面的相反側的第二端面的化合物單晶錠生成晶片，包含分離面形成步驟，由卡盤工作臺對化合物單晶錠的第二端面進行保持，將對于化合物單晶錠具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在距第一端面相當于要生成的晶片的厚度的深度，使該聚光點與化合物單晶錠相對地移動而對該第一端面照射該激光束，形成由與該第一端面平行的改質層和從該改質層伸長的裂痕構成的分離面。將構成化合物單晶錠的原子量大的原子和原子量小的原子之中原子量小的原子排列的極性面作為該第一端面，在平坦化步驟中對原子量小的原子排列的極性面即第一端面進行磨削。

本申請是原案申請號為201610152814.6的發明專利申請(申請日：2016年3月17日，發明名稱：晶片的生成方法)的分案申請。

技術領域

本發明涉及晶片的生成方法，從化合物單晶錠生成晶片。

背景技術

在以硅等作為原材料的晶片的正面上層疊功能層，在該功能層上在通過多個分割預定線劃分出的區域中形成有IC、LSI等各種器件。并且，通過切削裝置、激光加工裝置等加工裝置對晶片的分割預定線實施加工，將晶片分割成各個器件芯片，分割得到的器件芯片廣泛應用于移動電話、個人計算機等各種電子設備。

并且，在以SiC、GaN等六方晶單晶作為材料的晶片的正面上層疊有功能層，在所層疊的功能層上通過形成為格子狀的多條分割預定線進行劃分而形成功率器件或者LED、LD等光器件。

形成有器件的晶片通常是利用線切割對錠進行切片而生成的，對切片得到的晶片的正面背面進行研磨而精加工成鏡面(例如，參照日本特開2000-94221號公報)。

在該線切割中，將直徑約為100～300μm的鋼琴絲等一根金屬絲纏繞在通常設置于二～四條間隔輔助輥上的多個槽中，按照一定間距彼此平行配置且使金屬絲在一定方向或者雙向上行進，將錠切片成多個晶片。

但是，當利用線切割將錠切斷，并對正面背面進行研磨而生成晶片時，會浪費錠的70～80％，存在不經濟這樣的問題。特別是SiC、GaN等化合物單晶錠的莫氏硬度較高，利用線切割而進行的切斷很困難，花費相當長的時間，生產性較差，在高效地生成晶片方面存在課題。

為了解決這些問題，在日本特開2013-49161號公報中記載了如下技術：將對于SiC具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在化合物單晶錠的內部而進行照射，在切斷預定面上形成改質層和裂痕，并施加外力而沿著形成有改質層和裂痕的切斷預定面割斷晶片，從錠分離晶片。

專利文獻1：日本特開第2000-94221號公報

專利文獻2：日本特開第2013-49161號公報

但是，在專利文獻2所記載的錠的切斷方法中存在如下的課題：為了從晶片分離后的錠的端面再次照射激光束而形成包含改質層和從改質層傳播的裂痕的分離面，需要對錠的端面進行磨削而精加工為平坦，對錠的端面進行磨削的磨削磨具的消耗量很大并且耗費時間且生產性差。

發明內容

本發明是鑒于上述的點而完成的，其目的在于提供一種晶片的生成方法，該晶片的生成方法在對化合物單晶錠的端面進行磨削的平坦化工序中，能夠抑制磨削磨具的消耗量并且能夠縮短磨削時間。