[發明專利]晶片的生成方法有效
| 申請號： | 201910957194.7 | 申請日： | 2016-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN110712306B | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發明（設計）人： | 平田和也 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00;B23K26/53;B24B37/04;B24B37/10;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;于靖帥 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 生成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶片的生成方法，從化合物單晶錠生成晶片，該化合物單晶錠具有第一端面以及位于該第一端面的相反側的第二端面，該晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步驟：
分離面形成步驟，由卡盤工作臺對化合物單晶錠的該第二端面進行保持，將對于化合物單晶錠具有透過性的波長的激光束的聚光點定位在距該第一端面相當于要生成的晶片的厚度的深度，并且使該聚光點與化合物單晶錠相對地移動而對該第一端面照射該激光束，形成由與該第一端面平行的改質層以及從該改質層伸長的裂痕構成的分離面；
晶片生成步驟，在實施了該分離面形成步驟之后，從該分離面將相當于晶片的厚度的板狀物從化合物單晶錠分離而生成晶片；以及
平坦化步驟，在實施了該晶片生成步驟之后，對晶片分離后的化合物單晶錠的該第一端面進行磨削而使其平坦化，
為了抑制磨削磨具的磨損量以及縮短磨削所需時間，在該分離面形成步驟中，將構成化合物單晶錠的原子量大的原子和原子量小的原子之中的原子量小的原子排列的極性面作為該第一端面，在該平坦化步驟中，對原子量小的原子排列的極性面即該第一端面進行磨削，
該化合物單晶錠為GaN錠，氮(N)排列的極性面為該第一端面。
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