[發明專利]薄膜器件的制備方法、電子傳輸層以及發光器件

在審

• 申請號: 201910955435.4
• 申請日: 2019-10-09
• 公開（公告）號: CN110660648A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 張振星;高遠;李明
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/06;H01L33/14
• 代理公司: 33336 寧波聚禾專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 糜婧

1.薄膜器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，于底材上制備氧化鋅薄膜，所述氧化鋅薄膜包括摻雜或不摻雜的氧化鋅；

S2，使所述氧化鋅薄膜的表面浸于硫化物無機鹽的溶液中，所述硫化物無機鹽溶液與所述氧化鋅薄膜表面的材料反應，在所述氧化鋅薄膜的表面形成硫化鋅無機層。

2.根據權利要求1所述的薄膜器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述氧化鋅薄膜為一層或多層結構，所述氧化鋅薄膜表面的材料為摻雜或不摻雜的氧化鋅納米晶，或者所述氧化鋅薄膜表面的材料為摻雜或不摻雜的氧化鋅體相材料。

3.根據權利要求1所述的薄膜器件的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅薄膜包括摻雜的氧化鋅，摻雜元素選自銦、鋁、鎵、鈣、鎘、釔中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的薄膜器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述氧化鋅薄膜表面的材料為氧化鋅體相材料，所述步驟S2中，所述硫化物無機鹽的溶液為水溶液。

5.根據權利要求1所述的薄膜器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中：在所述氧化鋅薄膜的表面涂覆所述硫化物無機鹽的溶液，以使得所述氧化鋅薄膜的表面浸于所述硫化物無機鹽的溶液中；或者，將所述步驟S1制得的器件浸泡于所述硫化物無機鹽的溶液中，至少使得所述氧化鋅薄膜的表面浸入所述硫化物無機鹽的溶液中。

6.根據權利要求1-5任一所述的薄膜器件的制備方法，其特征在于，所述硫化物無機鹽選自硫化銨、硫化鉀、硫化鈉、硫化鋰、硫化銣中的一種或多種。

7.根據權利要求1-5任一所述的薄膜器件的制備方法，其特征在于，所述硫化物無機鹽的溶液中，所述硫化物無機鹽的濃度為0.1wt％～50wt％，所述氧化鋅薄膜表面浸于所述硫化物無機鹽溶液中的時間為0.01h～24h。

8.根據權利要求1-5任一所述的薄膜器件的制備方法，其特征在于，所述步驟S2之后，還包括步驟S3，清洗步驟S2制得的器件的表面，以去除殘余的所述硫化物無機鹽以及其他反應產物。

9.電子傳輸層，其特征在于，根據權利要求1-8任一所述的薄膜器件的制備方法制得。

10.發光器件，其特征在于，包括第一電極、電子傳輸層、量子點發光層、可選的空穴傳輸層和/或空穴注入層以及第二電極，所述電子傳輸層根據權利要求1-8任一所述的制備方法制得，其中，所述氧化鋅薄膜靠近所述第一電極，所述硫化鋅無機層靠近所述量子點發光層。