[發(fā)明專利]薄膜器件的制備方法、電子傳輸層以及發(fā)光器件

在審

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• 申請日: 2019-10-09
• 公開（公告）號: CN110660648A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張振星;高遠;李明
• 申請（專利權(quán)）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/06;H01L33/14
• 代理公司: 33336 寧波聚禾專利代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 糜婧

本發(fā)明公開了薄膜器件的制備方法、電子傳輸層以及發(fā)光器件。其中，薄膜器件的制備方法，包括以下步驟：S1，于底材上制備氧化鋅薄膜，氧化鋅薄膜包括摻雜或不摻雜的氧化鋅；S2，使氧化鋅薄膜的表面浸于硫化物無機鹽的溶液中，硫化物無機鹽與氧化鋅薄膜表面的材料反應(yīng)，在氧化鋅薄膜的表面形成硫化鋅無機層。本發(fā)明使氧化鋅薄膜的表面直接與硫化物無機鹽溶液進行接觸，利用硫化物無機鹽與氧化鋅薄膜的反應(yīng)，在氧化鋅薄膜的表面形成一層硫化鋅無機層，該硫化鋅無機層的存在可以改善氧化鋅薄膜的表面態(tài)，有利于減少設(shè)置在薄膜器件表面的發(fā)光材料與氧化鋅之間的相互作用，進而對提高器件的發(fā)光性能有利。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及薄膜器件的制備方法、電子傳輸層以及發(fā)光器件。

背景技術(shù)

氧化鋅是典型的n型氧化物半導(dǎo)體，具有較高的載流子遷移率，可調(diào)的能帶結(jié)構(gòu)，可見光波段透過率高等特性。膠體氧化鋅納米晶兼具出色的溶液可加工性，目前作為電子傳輸層以及應(yīng)用于高性能的量子點發(fā)光二極管。然而，廣泛應(yīng)用的低溫醇相膠體氧化鋅納米晶薄膜與量子點發(fā)光層接觸時，大量表面態(tài)的存在使氧化鋅和量子點中的激發(fā)態(tài)發(fā)射相互作用，顯著地降低了量子點發(fā)光器件的發(fā)光性能。

目前，一些研究者采用液體注入原子層沉積的方式加入金屬氧化物或金屬硫化物，用來隔絕量子點與氧化鋅之間的相互作用。但是，這種方法需要用到高精密的儀器設(shè)備，操作極為復(fù)雜。

還有一些研究者用帶硫原子的有機配體來改善氧化鋅的性質(zhì)，同時利用近似ZnS層的表面來改善量子點與氧化鋅的相互作用。但是，這種方法通常需要考慮配體與溶劑的選擇，應(yīng)用于器件時還需要考慮上下兩層的溶劑正交性，應(yīng)用時的限制較多。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明的一個目的在于提供一種薄膜器件的制備方法，用于改善氧化鋅薄膜的表面。

本發(fā)明的另一個目的在于提供一種電子傳輸層。

在本發(fā)明的另一個目的在于提供一種發(fā)光器件。

為達到以上目的，本發(fā)明提供一種薄膜器件的制備方法，包括以下步驟：

S1，于底材上制備氧化鋅薄膜，所述氧化鋅薄膜包括摻雜或不摻雜的氧化鋅；

S2，使所述氧化鋅薄膜的表面浸于硫化物無機鹽的溶液中，所述硫化物無機鹽溶液與所述氧化鋅薄膜表面的材料反應(yīng)，在所述氧化鋅薄膜的表面形成硫化鋅無機層。

在其中一些實施例中，所述步驟S1中，所述氧化鋅薄膜為一層或多層結(jié)構(gòu)，所述氧化鋅薄膜表面的材料為摻雜或不摻雜的氧化鋅納米晶，或者所述氧化鋅薄膜表面的材料為摻雜或不摻雜的氧化鋅體相材料。

在其中一些實施例中，所述氧化鋅薄膜包括摻雜氧化鋅，摻雜元素選自銦、鋁、鎵、鈣、鎘、釔中的一種或多種。

在其中一些實施例中，所述步驟S1中，所述氧化鋅薄膜表面的材料為氧化鋅體相材料，所述步驟S2中，所述硫化物無機鹽的溶液為水溶液。

在其中一些實施例中，所述步驟S2中：在所述氧化鋅薄膜的表面涂覆所述硫化物無機鹽的溶液，以使得所述氧化鋅薄膜的表面浸于所述硫化物無機鹽的溶液中；或者，將所述步驟S1制得的器件浸泡于所述硫化物無機鹽的溶液中，至少使得所述氧化鋅薄膜的表面浸入所述硫化物無機鹽的溶液中。

在其中一些實施例中，所述硫化物無機鹽選自硫化銨、硫化鉀、硫化鈉、硫化鋰、硫化銣中的一種或多種。

在其中一些實施例中，所述硫化物無機鹽的溶液中，所述硫化物無機鹽的濃度為0.1wt％～50wt％，所述氧化鋅薄膜表面浸于所述硫化物無機鹽溶液中的時間為0.01h～24h。

在其中一些實施例中，所述步驟S2之后，還包括步驟S3，清洗步驟S2制得的器件的表面，以去除殘余的所述硫化物無機鹽以及其他反應(yīng)產(chǎn)物。