[發(fā)明專利]將數(shù)據(jù)寫入一閃存單元的方法以及控制裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910955359.7
• 申請(qǐng)日: 2015-03-27
• 公開（公告）號(hào): CN110808078B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林璟輝;楊宗杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C11/56
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發(fā)明公開了一種將數(shù)據(jù)寫入一閃存單元的方法以及控制裝置，所述方法包含有：于第n次寫入所述閃存單元時(shí)，判斷要被寫入所述閃存單元的一第n數(shù)據(jù)位的一數(shù)據(jù)極性；依據(jù)所述第n數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性來決定是否對(duì)所述閃存單元的一浮柵注入一第n電荷量；于第n+1次寫入所述閃存單元時(shí)，判斷要被寫入所述閃存單元的一第n+1數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性；以及依據(jù)所述第n+1數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性來決定是否對(duì)所述閃存單元的所述浮柵注入一第n+1電荷量；其中所述第n+1電荷量不同于所述第n電荷量，以及n為不小于1的正整數(shù)。本發(fā)明可大幅減少實(shí)體存儲(chǔ)器分頁在數(shù)據(jù)寫入的過程中電荷抹除的次數(shù)，進(jìn)而提高了實(shí)體存儲(chǔ)器分頁的數(shù)據(jù)寫入速度以及使用壽命。

本申請(qǐng)要求2015年03月27日提交的中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?01510140113.6的權(quán)利，所述專利文獻(xiàn)進(jìn)一步以中國(guó)臺(tái)灣專利申請(qǐng)?zhí)?03144137的申請(qǐng)日2014年12月17日作為優(yōu)先權(quán)日，并且在此被完全引述作為參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及讀一閃存的數(shù)據(jù)寫入方法與其控制裝置，尤其涉及提高一閃存的使用壽命與操作速度的方法與其控制裝置。

背景技術(shù)

一般而言，當(dāng)一閃存控制裝置將一數(shù)據(jù)寫入一閃存內(nèi)的一個(gè)記憶單元時(shí)，所述閃存控制裝置會(huì)先將之前儲(chǔ)存在所述記憶單元內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除，接著才將所述數(shù)據(jù)寫入所述記憶單元內(nèi)。然而此一作法將會(huì)拖慢所述閃存的數(shù)據(jù)寫入速度，因?yàn)樗鲩W存控制裝置必須要花時(shí)間來將之前儲(chǔ)存在所述記憶單元內(nèi)的數(shù)據(jù)抹除。再者，一般而言，一閃存的使用壽命是受限于所述閃存的寫入與抹除次數(shù)。若所述閃存的寫入與抹除次數(shù)越高，則所述閃存的使用壽命就越低。反之，若所述閃存的寫入與抹除次數(shù)越少，則所述閃存的使用壽命就越高。因此，如何同時(shí)提高所述閃存的數(shù)據(jù)寫入速度以及使用壽命已成為此領(lǐng)域所亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明所公開的方法與其控制裝置主要是提高一閃存的使用壽命與操作速度。

依據(jù)本發(fā)明的一第一實(shí)施例，公開了一種將數(shù)據(jù)寫入一閃存單元的方法。所述方法包含有：執(zhí)行多次寫入并且設(shè)定一最高寫入次數(shù)，其中在達(dá)到最高寫入次數(shù)之前，維持所述閃存單元內(nèi)的電荷不變，或?qū)⑺鲭姾勺⑷腴W存單元內(nèi)；于所述多次寫入中的第n次寫入所述閃存單元時(shí)，判斷要被寫入所述閃存單元的一第n數(shù)據(jù)位的一數(shù)據(jù)極性；依據(jù)所述第n數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性來決定是否對(duì)所述閃存單元的一浮柵注入一第n電荷量；于所述多次寫入中的第n+1次寫入所述閃存單元時(shí)，判斷要被寫入所述閃存單元的一第n+1數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性；以及依據(jù)所述第n+1數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性來決定是否對(duì)所述閃存單元的所述浮柵注入一第n+1電荷量；于寫入次數(shù)達(dá)到所述最高寫入次數(shù)時(shí)對(duì)所述閃存單元執(zhí)行電荷抹除操作；其中所述第n+1電荷量不同于所述第n電荷量，以及n為不小于1的正整數(shù)；以及于第n次寫入所述閃存單元時(shí)，若所述第n數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性為一第一極性，則不對(duì)所述浮柵注入所述第n電荷量，若所述第n數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性為一第二極性，則對(duì)所述浮柵注入所述第n電荷量；以及于第n+1次寫入所述閃存單元時(shí)，若所述第n+1數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性為所述第一極性，則不對(duì)所述浮柵注入所述第n+1電荷量，若所述第n+1數(shù)據(jù)位的所述數(shù)據(jù)極性為所述第二極性，則對(duì)所述浮柵注入所述第n+1電荷量，其中所述第一極性不同于所述第二極性。