[發明專利]將數據寫入一閃存單元的方法以及控制裝置

有效

• 申請號: 201910955359.7
• 申請日: 2015-03-27
• 公開（公告）號: CN110808078B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 林璟輝;楊宗杰
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C11/56
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種將數據寫入一閃存單元的方法，其特征在于，所述方法包含有：

執行多次寫入并且設定一最高寫入次數，其中在達到最高寫入次數之前，維持所述閃存單元內的電荷不變，或將所述電荷注入閃存單元內；

于所述多次寫入中的第n次寫入所述閃存單元時，判斷要被寫入所述閃存單元的一第n數據位的一數據極性；

依據所述第n數據位的所述數據極性來決定是否對所述閃存單元的一浮柵注入一第n電荷量；

于所述多次寫入中的第n+1次寫入所述閃存單元時，判斷要被寫入所述閃存單元的一第n+1數據位的所述數據極性；以及

依據所述第n+1數據位的所述數據極性來決定是否對所述閃存單元的所述浮柵注入一第n+1電荷量；

于寫入次數達到所述最高寫入次數時對所述閃存單元執行電荷抹除操作；

其中所述第n+1電荷量不同于所述第n電荷量，以及n為不小于1的正整數；以及于第n次寫入所述閃存單元時，若所述第n數據位的所述數據極性為一第一極性，則不對所述浮柵注入所述第n電荷量，若所述第n數據位的所述數據極性為一第二極性，則對所述浮柵注入所述第n電荷量；以及于第n+1次寫入所述閃存單元時，若所述第n+1數據位的所述數據極性為所述第一極性，則不對所述浮柵注入所述第n+1電荷量，若所述第n+1數據位的所述數據極性為所述第二極性，則對所述浮柵注入所述第n+1電荷量，其中所述第一極性不同于所述第二極性；以及，所述第n+1電荷量至少大于所述第n電荷量的兩倍。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一極性是位1，而所述第二極性是位0；或所述第一極性是位0，而所述第二極性是位1。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第n數據位的所述數據極性為所述第一極性，所述方法另包含有：

決定出一第n臨界電壓；

其中當所述第n臨界電壓耦接至所述閃存單元的一控制柵時，所述第n臨界電壓會使得沒有注入所述第n電荷量的所述閃存單元導通。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，若所述第n+1數據位的所述數據極性為所述第一極性，所述方法另包含有：

決定出一第n+1臨界電壓；

其中當所述第n+1臨界電壓耦接至所述閃存單元的所述控制柵時，所述第n+1臨界電壓會使得沒有注入所述第n+1電荷量的所述閃存單元導通，以及所述第n+1臨界電壓至少高于所述第n臨界電壓的一倍。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，若所述第n+1數據位的所述數據極性為所述第二極性，所述方法另包含有：

決定出一第n+1臨界電壓；

其中當所述第n+1臨界電壓耦接至所述閃存單元的所述控制柵時，所述第n+1臨界電壓不會使得注入所述第n+1電荷量的所述閃存單元導通，以及所述第n+1臨界電壓至少高于所述第n臨界電壓的一倍。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第n數據位的所述數據極性為所述第二極性，所述方法另包含有：

決定出一第n臨界電壓；

其中當所述第n臨界電壓耦接至所述閃存單元的一控制柵時，所述第n臨界電壓不會使得注入所述第n電荷量的所述閃存單元導通。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，若所述第n+1數據位的所述數據極性為所述第一極性，所述方法另包含有：

決定出一第n+1臨界電壓；

其中當所述第n+1臨界電壓耦接至所述閃存單元的所述控制柵時，所述第n+1臨界電壓會使得沒有注入所述第n+1電荷量的所述閃存單元導通，以及所述第n+1臨界電壓至少高于所述第n臨界電壓的一倍。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，若所述第n+1數據位的所述數據極性為所述第二極性，所述方法另包含有：

決定出一第n+1臨界電壓；

其中當所述第n+1臨界電壓耦接至所述閃存單元的所述控制柵時，所述第n+1臨界電壓不會使得注入所述第n+1電荷量的所述閃存單元導通，以及所述第n+1臨界電壓至少高于所述第n臨界電壓的一倍。