[發(fā)明專利]存儲器單元及存儲器系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910954125.0
• 申請日: 2019-10-09
• 公開（公告）號: CN111063384B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃黎進(jìn)勇
• 申請（專利權(quán)）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發(fā)明公開了一種存儲器單元，存儲器單元包括第一反熔絲組件、第一選擇晶體管、第二反熔絲組件、第二選擇晶體管及感測控制電路。第一反熔絲組件及第二反熔絲組件的第一端耦接于反熔絲控制線。第一選擇晶體管根據(jù)字符線的電壓傳送第一位線及第一反熔絲組件的第二端之間的電壓。第二選擇晶體管根據(jù)字符線的電壓傳送第二位線及第二反熔絲組件的第二端之間的電壓。在讀取操作中，感測控制電路根據(jù)第一反熔絲組件及第二反熔絲組件的狀態(tài)自第一選擇晶體管或第二選擇晶體管的第一端提供放電路徑至第一系統(tǒng)電壓端。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲器單元，特別是指一種具有感測控制電路的存儲器單元。

背景技術(shù)

在存儲器系統(tǒng)中，常會利用感測放大器來將存儲器單元所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)電壓與默認(rèn)的參考電壓相比較，以辨識出儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)。舉例來說，如果數(shù)據(jù)電壓大于參考電壓，感測放大器就會輸出高電壓，表示儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)為“0”。相對地，如果數(shù)據(jù)電壓小于參考電壓，感測放大器就會輸出低電壓，表示儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)為“1”。感測放大器所輸出的電壓會儲存在閂鎖器中以供后續(xù)存取之需。

然而，由于制程上無法避免的差異，不同感測放大器中的晶體管可能會具有不同的閾電壓，因此要選出適合的參考電壓來辨識所有存儲器單元中的數(shù)據(jù)實(shí)際上相當(dāng)困難。對于一個存儲器單元而言最適合的參考電壓可能并不適合用在另一個存儲器單元，而不適合的參考電壓將會延長數(shù)據(jù)存取所需的時(shí)間，及/或造成數(shù)據(jù)誤判。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種存儲器單元。存儲器單元包括第一反熔絲組件、第一選擇晶體管、第二反熔絲組件、第二選擇晶體管及感測控制電路。

第一反熔絲組件具有第一端及第二端，第一反熔絲組件的第一端耦接于反熔絲控制線。第一選擇晶體管具有第一端、第二端及控制端，第一選擇晶體管的第二端耦接于第一位線，而第一選擇晶體管的控制端耦接于字符線。第一選擇晶體管根據(jù)字符線的電壓傳送第一位線及第一反熔絲組件的第二端之間的電壓。第二反熔絲組件具有第一端及第二端，第二反熔絲組件的第一端耦接于反熔絲控制線。第二選擇晶體管具有第一端、第二端及控制端，第二選擇晶體管的第二端耦接于第二位線，而第二選擇晶體管的控制端耦接于字符線。第二選擇晶體管根據(jù)字符線的電壓傳送第二位線及第二反熔絲組件的第二端之間的電壓。

感測控制電路耦接于第一選擇晶體管的第一端及第二選擇晶體管的第一端。在存儲器單元的讀取操作中，感測控制電路根據(jù)第一反熔絲組件及第二反熔絲組件的狀態(tài)自第一選擇晶體管的第一端或自第二選擇晶體管的第一端提供放電路徑至第一系統(tǒng)電壓端。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種存儲器系統(tǒng)。存儲器系統(tǒng)包括多個存儲器單元。多個存儲器單元中的第一存儲器單元包括第一反熔絲組件、第一選擇晶體管、第二反熔絲組件、第二選擇晶體管及感測控制電路。

第一反熔絲組件具有第一端及第二端，第一反熔絲組件的第一端耦接于反熔絲控制線。第一選擇晶體管具有第一端、第二端及控制端，第一選擇晶體管的第二端耦接于第一位線，而第一選擇晶體管的控制端耦接于第一字符線。第一選擇晶體管根據(jù)第一字符線的電壓傳送第一位線及第一反熔絲組件的第二端之間的電壓。第二反熔絲組件具有第一端及第二端，第二反熔絲組件的第一端耦接于反熔絲控制線。第二選擇晶體管具有第一端、第二端及控制端，第二選擇晶體管的第二端耦接于第二位線，而第二選擇晶體管的控制端耦接于第一字符線。第二選擇晶體管根據(jù)第一字符線的電壓傳送第二位線及第二反熔絲組件的第二端之間的電壓。

感測控制電路耦接于第一選擇晶體管的第一端及第二選擇晶體管的第一端。在存儲器單元的讀取操作中，感測控制電路根據(jù)第一反熔絲組件及第二反熔絲組件的狀態(tài)自第一選擇晶體管的第一端或自第二選擇晶體管的第一端提供放電路徑至第一系統(tǒng)電壓端。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的存儲器系統(tǒng)的示意圖。

圖2是圖1的一存儲器區(qū)段中存儲器單元的示意圖