[發(fā)明專利]存儲器單元及存儲器系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910954125.0
• 申請日: 2019-10-09
• 公開（公告）號: CN111063384B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃黎進勇
• 申請（專利權(quán)）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種存儲器單元，其特征在于，包括：

第一反熔絲組件，具有耦接于反熔絲控制線的第一端，及第二端；

第一選擇晶體管，具有第一端，耦接于第一位線的第二端，及耦接于字符線的控制端，所述第一選擇晶體管用以根據(jù)所述字符線的電壓傳送所述第一位線及所述第一反熔絲組件的第二端之間的電壓；

第二反熔絲組件，具有耦接于所述反熔絲控制線的第一端，及第二端；

第二選擇晶體管，具有第一端，耦接于第二位線的第二端，及耦接于所述字符線的控制端，所述第二選擇晶體管用以根據(jù)所述字符線的所述電壓傳送所述第二位線及所述第二反熔絲組件的第二端之間的電壓；

感測控制電路，耦接于所述第一選擇晶體管的所述第一端及所述第二選擇晶體管的所述第一端，及用以在所述存儲器單元的讀取操作中，根據(jù)所述第一反熔絲組件及所述第二反熔絲組件的狀態(tài)自所述第一選擇晶體管的所述第一端或自所述第二選擇晶體管的所述第一端提供放電路徑至第一系統(tǒng)電壓端；及

讀取控制電路，包括：

預(yù)充電控制電路，耦接于所述第一位線及所述第二位線，及用以在所述讀取操作前的感測操作中將所述第一位線及所述第二位線預(yù)充電至第三操作電壓，所述第三操作電壓大于0；及

差動感測放大器，耦接于所述第一位線及所述第二位線，及用以比較所述第一位線及所述第二位線的電壓以產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于在所述存儲器單元的寫入操作中，所述第一反熔絲組件及所述第二反熔絲組件被寫入互補的數(shù)據(jù)。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于：

所述第一選擇晶體管的所述第一端是耦接于所述第一反熔絲組件的所述第二端；及

所述第二選擇晶體管的所述第一端是耦接于所述第二反熔絲組件的所述第二端。

4.如權(quán)利要求3所述的存儲器單元，其特征在于在所述存儲器單元的寫入操作中：

所述反熔絲控制線是在寫入電壓；

所述字符線是在第一操作電壓；

所述第一位線是在第一數(shù)據(jù)電壓；及

所述第二位線是在第二數(shù)據(jù)電壓；

其中：

所述第一數(shù)據(jù)電壓及所述第二數(shù)據(jù)電壓的其中一者與所述第一操作電壓相等，且另一者與第一系統(tǒng)電壓相等；及

所述寫入電壓大于所述第一操作電壓，及所述第一操作電壓大于所述第一系統(tǒng)電壓。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，還包括：

第一隨柵晶體管，具有耦接于所述第一反熔絲組件的所述第二端的第一端，耦接于所述第一選擇晶體管的所述第一端的第二端，耦接于隨柵控制線的控制端；及

第二隨柵晶體管，具有耦接于所述第二反熔絲組件的所述第二端的第一端，耦接于所述第二選擇晶體管的所述第一端的第二端，耦接于所述隨柵控制線的控制端。

6.如權(quán)利要求5所述的存儲器單元，其特征在于在所述存儲器單元的寫入操作中：

所述反熔絲控制線是在寫入電壓；

所述字符線是在第一操作電壓；

所述隨柵控制線是在第二操作電壓；

所述第一位線是在第一數(shù)據(jù)電壓；及

所述第二位線是在第二數(shù)據(jù)電壓；

其中：

所述第一數(shù)據(jù)電壓及所述第二數(shù)據(jù)電壓的其中一者與所述第一操作電壓相等，且另一者與第一系統(tǒng)電壓相等；及

所述寫入電壓大于所述第二操作電壓，所述第二操作電壓大于所述第一操作電壓，及所述第一操作電壓大于所述第一系統(tǒng)電壓。