[發(fā)明專利]垂直存儲器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910953065.0
• 申請日: 2019-10-09
• 公開（公告）號: CN111261637A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔至薰;金成吉;金廷奐;金贊炯;李宇城
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種垂直存儲器件，包括：

溝道連接圖案，所述溝道連接圖案位于襯底上；

柵電極，所述柵電極在所述溝道連接圖案上沿第一方向彼此間隔開，每個所述柵電極沿基本上平行于所述襯底的上表面的第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述襯底的所述上表面；以及

溝道，所述溝道沿所述第一方向延伸穿過所述柵電極和所述溝道連接圖案；

其中，所述溝道連接圖案的在第三方向上的端部的上表面比所述溝道連接圖案的除了與所述溝道相鄰的部分之外的其他部分的上表面高，所述第三方向基本上平行于所述襯底的所述上表面且基本上垂直于所述第二方向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道連接圖案的所述端部的下表面與所述溝道連接圖案的除了與所述溝道相鄰的所述部分之外的所述其他部分的下表面基本上共面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道連接圖案的所述端部的下表面低于所述溝道連接圖案的除了與所述溝道相鄰的所述部分之外的所述其他部分的下表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道連接圖案的所述端部關(guān)于基本上平行于所述襯底的所述上表面的水平線對稱。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直存儲器件，其中，從所述溝道連接圖案的所述端部的所述上表面到所述溝道的距離小于從所述溝道連接圖案的所述端部的下表面到所述溝道的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道連接圖案的所述端部的所述上表面的曲率不同于所述溝道連接圖案的所述端部的所述下表面的曲率。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道連接圖案的所述端部的所述上表面的所述曲率小于所述溝道連接圖案的所述端部的所述下表面的所述曲率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道連接圖案中包括氣隙。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，還包括電荷存儲結(jié)構(gòu)，所述電荷存儲結(jié)構(gòu)位于所述溝道的外側(cè)壁的至少一部分上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道連接圖案覆蓋所述溝道的所述外側(cè)壁的一部分，并接觸所述電荷存儲結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道連接圖案包括摻雜多晶硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，還包括支撐層，所述支撐層位于所述溝道連接圖案與所述柵電極中的最下面的柵電極之間，所述支撐層包括摻雜多晶硅。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，還包括公共源極線，所述公共源極線在所述襯底上沿所述第二方向延伸，所述公共源極線在所述第三方向上分割所述柵電極和所述溝道連接圖案中的每一者。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中，所述溝道包括在所述第二方向和所述第三方向中的每個方向上的多個溝道，并且

其中，所述溝道連接圖案將所述多個溝道彼此連接。