[發明專利]顯示裝置及顯示裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201910949309.8 | 申請日: | 2019-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN111009543A | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發明(設計)人: | 梁東炫;柳仁卿;朱成培 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 張逍遙;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
提供了一種顯示裝置以及一種顯示裝置的制造方法。所述顯示裝置包括:像素電路;第一絕緣層,覆蓋像素電路;第一阻擋件,設置在第一絕緣層上并且在第一方向上延伸;第二阻擋件,與第一阻擋件分開,在第一方向上延伸并且在基本垂直于第一方向的第二方向上與第一阻擋件間隔開;第一電極,設置在第一阻擋件上并且電連接到像素電路;第二電極,設置在第二阻擋件上并且與第一電極分開;第二絕緣層,設置在第一電極和第二電極上,并且研磨槽沿第二方向設置在第二絕緣層中;以及發光元件,在第二絕緣層上沿著研磨槽對齊且電連接到第一電極和第二電極。
本專利申請要求于2018年10月8日提交的第10-2018-0120035號韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。
技術領域
本公開在此涉及一種具有改善的可靠性的顯示裝置以及一種該顯示裝置的制造方法。
背景技術
顯示裝置可以包括發光元件。發光元件可以電連接到電極,并且根據施加到電極的電壓發光。發光元件可以直接形成在電極上,或者與電極分開制成的發光元件可以連接到電極。當發光元件被分開形成并且接著連接到電極時,用于在電極上對齊發光元件的工藝是必須的。當發光元件未在電極上適當地對齊時,發光元件不會發光。
發明內容
本公開提供了一種具有改善的可靠性的顯示裝置以及一種所述顯示裝置的制造方法。
發明構思的示例性實施例提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:像素電路;第一絕緣層,覆蓋像素電路;第一阻擋件,設置在第一絕緣層上并且在第一方向上延伸;第二阻擋件,在第一方向上延伸并且在基本垂直于第一方向的第二方向上與第一阻擋件間隔開;第一電極,設置在第一阻擋件上并且電連接到像素電路;第二電極,設置在第二阻擋件上并且與第一電極分開;第二絕緣層,設置在第一電極和第二電極上,并且研磨槽沿第二方向設置在第二絕緣層中;以及發光元件,在第二絕緣層上沿著研磨槽對齊并電連接到第一電極和第二電極,并且設置在第一阻擋件和第二阻擋件之間。
在示例性實施例中,第二絕緣層可以由聚酰亞胺類材料形成。
在示例性實施例中,發光元件的在第一方向上的寬度可以小于或等于研磨槽的在第一方向上的寬度。
在示例性實施例中,第一阻擋件和第二阻擋件之間的在第二方向上的距離可以大于第一電極和第二電極之間的在第二方向上的距離。
在示例性實施例中,第一電極和第二電極之間的在第二方向上的距離可以小于發光元件的在第二方向上的長度。
在示例性實施例中,第二絕緣層可以至少在第一阻擋件和第二阻擋件之間設置在第一電極、第一絕緣層和第二電極上。
顯示裝置還可以包括:第一連接電極,電連接第一電極和發光元件;以及第二連接電極,電連接第二電極和發光元件。
在示例性實施例中,第一電極可以包括電連接到像素電路并且包含第一反射材料的第一反射電極和覆蓋第一反射電極的第一蓋電極,并且第二電極可以包括被構造為接收電源電壓并且包含反射材料的第二反射電極和覆蓋第二反射電極的第二蓋電極。
在發明構思的示例性實施例中,提供了一種顯示裝置的制造方法,所述制造方法包括下述步驟:在基體層上形成像素電路;形成覆蓋像素電路的第一絕緣層;在第一絕緣層上形成在第一方向上延伸并在第二方向上彼此分開設置的第一阻擋件和第二阻擋件;在第一阻擋件上形成電連接到像素電路的第一電極并且在第二阻擋件上形成與第一電極分開的第二電極;在第一絕緣層、第一電極和第二電極上形成絕緣材料層;沿第二方向在絕緣材料層上形成研磨槽以形成第二絕緣層;在第一阻擋件和第二阻擋件之間將發光元件設置在第二絕緣層上;以及沿著研磨槽對齊發光元件。
在示例性實施例中,形成第二絕緣層的步驟可以包括:在絕緣材料層上設置研磨輥,研磨布纏繞在研磨輥周圍;以及在使研磨輥滾動的同時在第二方向上移動研磨輥以沿第二方向形成研磨槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





