[發明專利]一種去除硅腐蝕溝槽邊緣氧化膜的改進方法

在審

• 申請號: 201910949028.2
• 申請日: 2019-10-08
• 公開（公告）號: CN110690104A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 崔文榮
• 申請（專利權）人: 江蘇晟馳微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B1/00;B08B3/12
• 代理公司: 11421 北京天盾知識產權代理有限公司
• 代理人: 張彩珍

1.一種去除硅腐蝕溝槽邊緣氧化膜的改進方法,其特征在于：包括以下步驟：

A、將蝕刻后的硅片進行固定；

B、采用毛刷將蝕刻后的硅片表面進行清刷；

C、使用超聲槽振蕩去除硅片上殘留的氧化膜；

D、放置到硅片片架內；

E、對清理氧化膜的硅片進行清洗。

2.根據權利要求1所述的一種去除硅腐蝕溝槽邊緣氧化膜的改進方法,其特征在于：所述根據步驟A將蝕刻完成的硅片采用硅片固定支架進行固定，固定支架與硅片邊緣接觸的位置設有橡膠墊。

3.根據權利要求1所述的一種去除硅腐蝕溝槽邊緣氧化膜的改進方法,其特征在于：所述根據步驟B采用軟質的尼龍毛刷對溝槽邊緣的氧化膜進行清理，尼龍毛刷密度為1.0g/cm3。

4.根據權利要求1所述的一種去除硅腐蝕溝槽邊緣氧化膜的改進方法,其特征在于：所述根據步驟C使用超聲槽振蕩去除殘留在溝槽邊緣的氧化膜及被刷子刷掉落在溝槽中的氧化膜。

5.根據權利要求1所述的一種去除硅腐蝕溝槽邊緣氧化膜的改進方法，其特征在于：所述根據步驟E將去除氧化膜的硅片放置在片架內。

6.根據權利要求1所述的一種去除硅腐蝕溝槽邊緣氧化膜的改進方法,其特征在于：所述根據步驟D采用H2SO4:H2O2＝5:1或4:1的酸性液清洗，再用超純水對硅片進行沖洗。