[發明專利]濃度的調節方法及調節系統

有效

• 申請號: 201910947661.8
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN110828338B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 邱宇淵;徐融
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本申請提供了一種濃度的調節方法及調節系統。其中，調節方法包括：提供待清洗工件，將待清洗工件置入盛放有第一化學溶液的第一容器中，第一化學溶液包括溶劑，或者第一化學溶液包括溶質和溶劑，溶質包括預設粒子。提供第二容器，第二容器用于裝載第二化學溶液，第二化學溶液為含有預設粒子的標準溶液。檢測第一容器中的第一預設粒子濃度與第二預設粒子濃度。當第一預設粒子濃度小于目標預設粒子濃度時，控制第二容器中的部分第二化學溶液進入第一容器中。通過增設第二化學溶液，并且當第一預設粒子濃度小于目標預設粒子濃度時，控制部分第二化學溶液進入第一容器中，來增加第一預設粒子濃度，從而使第一預設粒子濃度與目標預設粒子濃度相等。

技術領域

本申請屬于蝕刻清洗技術領域，具體涉及濃度的調節方法及調節系統。

背景技術

芯片是電子設備中重要的組件之一，是電子設備的“心臟”。在芯片的制備過程中，需要將原材料晶圓進行多次濕蝕刻操作。目前晶圓在蝕刻的過程中，針對不同的芯片在濕蝕刻的過程中需要控制不同的硅濃度。但是目前硅濃度的調節方法較為復雜，因此會提高濕蝕刻的時間以及成本。

發明內容

鑒于此，本申請第一方面提供了一種濃度的調節方法，所述調節方法包括：

提供待清洗工件，將所述待清洗工件置入盛放有第一化學溶液的第一容器中，所述第一化學溶液包括溶劑，或者所述第一化學溶液包括溶質和所述溶劑，所述溶質包括預設粒子；

提供第二容器，所述第二容器用于裝載第二化學溶液，所述第二化學溶液為含有所述預設粒子的標準溶液，且所述第二化學溶液可進入所述第一容器中；

檢測所述第一容器中的第一預設粒子濃度，且檢測所述第二容器中的第二預設粒子濃度；以及

當所述第一預設粒子濃度小于目標預設粒子濃度時，控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器中，以使得部分所述第二化學溶液進入所述第一容器后的所述第一預設粒子濃度與所述目標預設粒子濃度相等。

本申請第一方面提供的調節方法，通過增設第二化學溶液，第二化學溶液為含有所述預設粒子的標準溶液。第二化學溶液為待補充的溶液，當所述第一預設粒子濃度小于目標預設粒子濃度時，則控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器中，此時由于在第一容器中預設粒子含量的增加，導致第一預設粒子濃度增加，從而達到第一預設粒子濃度與所述目標預設粒子濃度相等的目的。本申請提供的濃度的調節方法，方法簡單，成本低廉，可有效地降低清洗的時間以及成本。

其中，在“控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器中”之前，所述調節方法還包括：

檢測所述第一容器中的所述第一化學溶液的體積；

“控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器中”包括：

根據所述目標預設粒子濃度、所述第一預設粒子濃度、所述第一化學溶液的體積、以及所述第二預設粒子濃度建立第一模型；

根據所述第一模型來控制所述第二容器中的部分所述第二化學溶液進入所述第一容器。

其中，所述調節方法還包括：

提供第三容器，所述第三容器用于裝載第三化學溶液，所述第三化學溶液為所述溶劑，且所述第三化學溶液可進入所述第一容器中；

當所述第一預設粒子濃度大于所述目標預設粒子濃度時，控制所述第三容器中的部分所述第三化學溶液進入所述第一容器中，以使得部分所述第三化學溶液進入所述第一容器后的所述第一預設粒子濃度與所述目標預設粒子濃度相等。

其中，“控制所述第三容器中的部分所述第三化學溶液進入所述第一容器中”包括：

根據所述目標預設粒子濃度、所述第一預設粒子濃度、以及所述第一化學溶液的體積建立第二模型；